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张杨 研究员

暨南大学

个人简介:张杨,暨南大学物理与光电工程学院研究员,博士生导师,广东省青年拔尖人才。 2003年本科毕业于四川大学物理学院微电子学专业,2008年博士毕业于中国科学院半导体研究所微电子与固体电子学专业。2009年起先后在意大利技术研究所、威斯康星大学密尔沃基分校、内布拉斯加大学林肯分校和阿肯色大学从事博士后研究工作,2018年初加入亚利桑那州立大学任助理研究科学家,2019年初加入阿肯色大学任访问助理教授。2020年10月加入暨南大学任研究员开展教学科研工作。目前研究主要围绕半导体光电性质及应用展开,研究兴趣包括光与低维半导体相互作用,新颖半导体光电探测与传感器件,以及半导体微纳器件制备与测量等。在半导体光电探测器研究方向,已获得2项国家级项目资助。在Nature Photonics,Advanced Materials,ACS Nano和JACS等期刊上发表文章40余篇,其中一篇入选ESI高被引论文,论文总被引次数2200余次(谷歌学术,2024年),SCI他引超过1000次。现为多个学术期刊审稿人,RSC Advances评审委员会 (Review panel)委员。 查看更多

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    大会报告:基于稳态和时间分辨光谱的锑化物二型超晶格中纵向空穴输运研究 第十三届光谱网络会议(iCS2024)

    2024.07.16 08:55-18:00

    在锑化物二型超晶格光电探测器中,载流子沿着材料生长方向(纵向)的输运特性与探测器的性能紧密相关。受到有效质量差异以及界面散射等因素影响,在二型超晶格中纵向空穴迁移率通常要远低于电子迁移率。低空穴迁移率是限制该类探测器性能的主要因素之一。由于特殊测试结构要求,传统霍尔测试法无法用于获取超晶格材料的纵向空穴迁移率。此前文献中已报道采用电子束诱导电流和异质结双极型晶体管等方法提取二型超晶格中的纵向空穴迁移率。这些方法通常涉及复杂的物理建模或繁复的器件制备。在本工作中,我们在12 K-210 K温区,分别采用静态和时间分辨光谱两种无损光学测量方法,结合双极扩散模型和数据拟合,提取InAs/InAs1-xSbx超晶格中纵向空穴迁移率。在12 K时我们获得的空穴迁移率约为0.2 cm2/Vs,并且其随温度的升高而增加,在60 K时达到约50 cm2/Vs并趋于饱和。查看更多
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