典型用户

多片氮化物MOCVD设备

化学气相沉积（CVD）品牌：广东省中科宏微半导体设备有限公司型号：48片机

仪器名称：

多片氮化物MOCVD设备

英文名称：

所属分类：

工艺试验仪器 > 电子工艺实验设备 > 半导体集成电路工艺实验设备

学科领域：

物理学材料科学

主要技术指标：

设备温度控制范围100～1200℃，温度稳定性＜±2℃，温度均匀性＜±3℃（在1000℃）；升温速率0.5℃-3℃/s连续可调；压力控制范围20-760Torr连续可调，控制精度为3 Torr（20Torr～760Torr）衬底转速在0-1500转/分钟连续可调；系统气密性：管路系统漏气率＜1×10-9Pa？L/S；反应室漏气率＜3×10-9Pa？L/S；GaN外延材料生长技术指标：生长速率：1-4um/小时；厚度不均匀性：<>< 1×1017/cm3，迁移="">350cm2/V.s(2umGaN);双晶衍射半峰宽<300 弧秒；n型掺杂浓度：="">3×1018/cm3；P型掺杂浓度：>3×1017/cm3；AlGaN：Al组分大于20%。

主要功能：

用于单炉48片2英寸蓝宝石衬底GaN外延层生长设备