MOCVD设备
化学气相沉积(CVD)
品牌:广东省中科宏微半导体设备有限公司
型号:48片机
仪器名称:
MOCVD设备
英文名称:
所属分类:
工艺试验仪器 > 电子工艺实验设备 > 半导体集成电路工艺实验设备
学科领域:
物理学 材料科学
主要技术指标:
设备温度控制范围100~1200℃,温度稳定性<±2℃,温度均匀性<±3℃(在1000℃);升温速率0.5℃-3℃/s连续可调;压力控制范围20-760Torr连续可调,控制精度为3 Torr(20Torr~760Torr) 衬底转速在0-1500转/分钟连续可调;系统气密性:管路系统漏气率<1×10-9Pa?L/S;反应室漏气率<3×10-9Pa?L/S;GaN外延材料生长技术指标:生长速率:1-4um/小时;厚度不均匀性:<>< 1×1017/cm3,迁移="">350cm2/V.s(2umGaN);双晶衍射半峰宽<300 弧秒;n型掺杂浓度:="">3×1018/cm3;P型掺杂浓度:>3×1017/cm3;AlGaN:Al组分大于20%。300>
主要功能:
用于单炉48片2英寸蓝宝石衬底GaN外延层生长设备