典型用户

金属有机化合物气相沉积系统（MOCVD）

化学气相沉积（CVD）品牌：德国型号：CRIUS31*2

仪器名称：

英文名称：

所属分类：

工艺试验仪器 > 电子工艺实验设备 > 半导体集成电路工艺实验设备

学科领域：

信息科学与系统科学物理学材料科学电子与通信技术

主要技术指标：

1、反应室最高温度1200℃，在500℃-1100℃温度波动<1℃ 2、反应室压力为1mbar-大气压="" 3、可外延生长gan、algan、ingan材料及近紫外——黄绿光波段的led、激光器、电子器件等器件="" 4、一次外延31片2英寸外延片，或7片4英寸外延片="" 5、非故意掺杂gan体材料位错密度108cm-2量级，生长速度="">2μm/h，背景载流子浓度<1×1017cm-3，片内、片间及run to=""><2% 6、p型gan空穴浓度="">5×1017cm-3 7、蓝光LED内量子效率>70%,片内、片间及run to run波长不均匀性<>

主要功能：

用于生长高质量III-V族氮化物材料，包括GaN、AlGaN、InGaN体材料、微纳结构及近紫外——黄绿光波段的LED、激光器、光电探测器等光电器件，以及HEMT为代表的氮化物电力电子器件。