裕隆时代ArFab氩离子抛光仪
裕隆时代ArFab氩离子抛光仪

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裕隆时代

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ArFab

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中国大陆

  • 铜牌
  • 第10年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
核心参数

产地类别: 国产

减薄角度: 0-20度

最大样品尺寸: 50(L)×10(W)×35(H)mm

裕隆时代向用户提供性能优越的ArFab100氩离子抛光仪,为电镜、电子探针、原子力显微镜样品进行无损截面制备。

适用范围:新能源材料、非常规能源、半导体、芯片、制药等行业。
 


 

大尺寸切抛合一的纳米加工系统                             

 

性能优势

 

  • 一套系统兼具离子平面抛光和离子切割功能,操作简捷

  •  动态离子切割技术,实现样品的往复平移和旋转,最大切割长度达10mm,有效减少投影/遮挡效应

  • 超大平面抛光装载尺寸25x25mm(直径X高度),为原位试验等大尺寸样品试验提供可能

  • 能量0.5-10KV连续可调,既可满足低能区减少非晶层,又可兼顾高能区,大幅提高制样效率

  • 10英寸彩色触屏,全中文图像用户界面,方便快捷的参数设置,可远程控制

 

 


 

样品适用性

 

  • 无论软硬,多孔或致密,脆性或韧性,热敏感,或非均质多相复合型材料,都可获得高质量无损切割界面

 

 

  • 切割模式采用独创的微型多轴动态离子切割台,样品切割长度可达10mm


 

应用案例

 

  • 离子平面抛光后的页岩截面,揭示样品表面纳米级孔隙,左图为无机孔,右图为有机孔。SEM图像,石油地质。

 

 

  • 离子切割后的手机柔性屏幕内部结构和材料特征。半导体领域

 

 

  • 离子切割后的电池材料截面,揭示其内部结构。左图为电池阳极几篇,右图为电池隔膜。SEM图像,能源材料领域

 

 

  • 左图:离子切割后芯片内部结构,右图:离子平面抛光后芯片内部结构。SEM图像,半导体芯片领域。

 

 

  • 平面抛光后LED焊盘结构。SEM图像,半导体光电领域

 

 

  • 低电压平面抛光后的合成材料EBSD结构。EBSD图像,新材料领域。

 

 


 

技术参数

离子枪

离子枪

配备两支独立离子枪,可选单枪或双枪模式

加速电压

0.5-10KV连续可调

工作束流

0.5-7mA连续可调

抛光速率

200um/h10KV,硅样品)

样品台


抛光样品尺寸

25X25mm(直径x高)样品台

切割样品尺寸

50x10x35mm(长xx高)

旋转速度

10-3600/S

抛光角度

0-200连续可调

真空系统

真空系统

两级真空,无油涡旋干泵,支持80L/S涡轮分子泵

工作真空

9X10-5 mbar

极限真空

5X10-7 mbar

真空规

全量程(常压到高真空)冷阴极真空规

用户界面

10英寸触屏,中文操作界面,简洁方便,可远程控制

电源要求

90-264VAC600W

 


售后服务承诺

保修期: 1年

是否可延长保修期:

现场技术咨询:

免费培训:

免费仪器保养: 1年

保内维修承诺: 1年

报修承诺: 1年

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裕隆时代离子减薄仪ArFab的工作原理介绍

离子减薄仪ArFab的使用方法?

裕隆时代ArFab多少钱一台?

离子减薄仪ArFab可以检测什么?

离子减薄仪ArFab使用的注意事项?

裕隆时代ArFab的说明书有吗?

裕隆时代离子减薄仪ArFab的操作规程有吗?

裕隆时代离子减薄仪ArFab报价含票含运吗?

裕隆时代ArFab有现货吗?

裕隆时代ArFab氩离子抛光仪信息由沃根瑞特科技(北京)有限公司为您提供,如您想了解更多关于裕隆时代ArFab氩离子抛光仪报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。
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