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四探针电阻率方块电阻测试仪便于查看的显示/直观的操作性:高亮度、超清晰4.3寸彩色LCD显示;操作易学,直观使用;基本设置操作简单,方阻、电阻、电阻率、电导率和分选结果;多种参数同时显示。精度高:电阻基本准确度: 0.05%;方阻基本准确度:3%;电阻率基本准确度:3%整机测量最大相对误差:≤±3%;整机测量标准不确定度:≤±3%四位半显示读数;八量程自动或手动测试;
6. 测量范围宽: 电阻:10-4Ω~105Ω ;方阻:10-4Ω/□~105Ω/□;
7. 正反向电流源修正测量电阻误差
8. 恒流源:电流量程分为: 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA 、100mA六档;仪器配有恒流源开关可有效保护被测件,即先让探针头压触在被测材料上,后开恒流源开关,避免接触瞬间打火。为了提高工作效率,如探针带电压触单晶对材料及测量并无影响时,恒流源开关可一直处于开的状态。
9. 可配合多种探头进行测试;也可配合多种测试台进行测试。
10. 校正功能:可手动或自动选择测试量程 全量程自动清零。
11. 厚度可预设,自动修正样品的电阻率,无需查表即可计算出电阻率。
12. 自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量,显示平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正。
13. 双电测测试模式,测量精度高、稳定性好.
14. 具备温度补偿功能,修正被测材料温漂带来的测试结果偏差。
15. 比较器判断灯直接显示,勿需查看屏幕,作业效率得以提高。
3档分选功能:超上限,合格,超下限,可对被测件进行HI/LOW判断,可直接在LCD使用标志显示;也可通过USB接口、RS232接口输出更为详细的分选结果。
16. 测试模式:可连接电脑测试、也可不连接电脑单机测试。
17. 丰富的接口,Handler接口、RS232接口、USB HOST、USB DEVICE。实现远程控制。U盘可记录测试数据
18. 软件功能(选配):软件可记录、保存、各点的测试数据;可供用户对数据进行各种数据分
析。
标配:测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。
四探针电阻率方块电阻测试仪
GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要
探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯0.8N两种。
以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的
条款。但凡注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包
括订正的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根
据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版
本。但凡不注日期的引用文件,其新版本适用于本标准。
GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法
样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的
规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士
5",测量装置测量装置的典型电路叉图1,
范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层
和离子注入层薄层电阻的方法。
本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、
离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电
阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不
小于0.2 μm的薄层,方块电阻的测量范围为10A-5000n.该
方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量,但其测量
准确度尚未评估。
使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外
探件,测量两内操针之间的电位差,引人与试样几何形软有
关的修正因子,计算出薄层电阻。
四探针电阻率方块电阻测试仪
电位差计和电流计或数字电压表,量程为1mV¯100mV,
分辨率为0.1%,直流输入阻抗不小
250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的
圆截面。
探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之
间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距,四探针应以
等距离直线排列,探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中
的规定。
R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R; +R,)
计算试样平均直径D与平均操针间距S之比,由表3中
查出修正因子F,也可以见GB/T11073中规定的几何修正因
子。 9.4计算几何修正因子F,见式(4)。
对于薄层厚度小于3μm的试样,选用针尖半径为100
μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平
头探针,针尖与试样间压力为0.3 N¯0.8Ni对于薄层厚度不
小于3μ的试样,选用针尖半径为35μm100 pm 半球形
操针,针尖与试样间压力不大于 0.3 N.
Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-
双刀双撑电位选择开关。
四探针电阻率方块电阻测试仪
规格型号 | 300c |
电阻 | 10-7~2×107Ω |
2.电阻率范围 | 10-8~2×108Ω-cm |
3.电导率 | 5×10-8~108s/cm |
4.测试电流范围 | 1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,1000mA |
5.测量电压量程
| 测量电压量程:2mV 20mV 200mV 2V 测量精度:±(0.1%读数) 分辨率: 0.1uV 1uV 10uV 100uV |
6.电流精度 | ±0.1%读数 |
7.电阻精度 | ≤0.3% |
8.显示读数 | 液晶显示:电阻值、电阻率、电导率值、温度、单位自动换算、横截面、高度、电流、电压等 |
9.测试方式 | 四端测量法 |
10.测量装置(治具) | 选购 1.标准方体和圆柱体测量装置:测试行程:L70mm*W:60mm 2.定制治具 |
11.工作电源 | AC 220V±10%.50Hz功 耗:<30WH |
12. 主机外形尺寸 | 约330mm*350mm*120mm |
13.净重量 | 约6kgNet |
14.标配外选购
| 1.标准校准电阻1-5个;2.PC软件一套;3.电脑和打印机依据客户要求配置;4.计量证书1份 |
四探针电阻率方块电阻测试仪
定。欧娇表,能指示阻值高达10°日的漏电阻,温度针
0℃-40℃,小刻度为0.1℃。
光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影
响测试结果,
甲醇、99.5%,干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具
有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针,针实半径分别为35
μm~100μm.100 μm
…… … ………(5)
电压表输入阻抗会引入测试误差,硅片几何形状,表
面粘污等会影响测试结果,
R(TD-R_xF式中:
计算每一测量位置的平均电阻R.,见式(3).
试剂优级纯,纯水,25℃时电阻率大于2MN.cm,
s=号(二[R,(TD-瓦(7D羽yt ..
计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄
层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃,具体见表4)
见式(5).
用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上,试样放置
的时间应足够长,到达热平衡时,试样温度为23 ℃±1℃.
接通电流,令其任一方向为正向,调节电流大小见表1
所给出的某一合适值,测量并记录所得数据,所有测试数据
至少应取三位有效数字。改变电流方向,测量、记录数据。
关断电流,抢起探针装置,对仲裁测量,探针间距为1.59
产品货期: 7天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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