铟镓砷 InGaAs 超低噪声 单元探测器 PD及UPD-A系列 800~2500nm
铟镓砷 InGaAs 超低噪声 单元探测器 PD及UPD-A系列 800~2500nm
铟镓砷 InGaAs 超低噪声 单元探测器 PD及UPD-A系列 800~2500nm
铟镓砷 InGaAs 超低噪声 单元探测器 PD及UPD-A系列 800~2500nm
铟镓砷 InGaAs 超低噪声 单元探测器 PD及UPD-A系列 800~2500nm
铟镓砷 InGaAs 超低噪声 单元探测器 PD及UPD-A系列 800~2500nm
铟镓砷 InGaAs 超低噪声 单元探测器 PD及UPD-A系列 800~2500nm
铟镓砷 InGaAs 超低噪声 单元探测器 PD及UPD-A系列 800~2500nm
铟镓砷 InGaAs 超低噪声 单元探测器 PD及UPD-A系列 800~2500nm
铟镓砷 InGaAs 超低噪声 单元探测器 PD及UPD-A系列 800~2500nm

¥3001 - 9999

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筱晓光子

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UPD-600M-A

--

美洲

  • 金牌
  • 第11年
  • 生产商
  • 营业执照已审核
核心参数

一,InGaAs 超低噪单元探测器 UPD-A系列 800-1700nm

超低噪声光电单元探测模块集成了超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电,输出信号不受外部供电电源的影响。该模块在本底噪声控制方面尤为突出, 在相同参数下其本底噪声约为常规模块的三分之一,很好满足客户对更小信号探测以及更高信噪比的需求。

InGaAs 超低噪单元探测器 UPD-A系列 ,InGaAs 超低噪单元探测器 UPD-A系列
通用参数

产品特点

噪声超低

高增益

高带宽

结构紧凑

内置低噪隔离电源


产品应用

光纤传感

光纤通信

激光测距

光谱测量

ns 级光脉冲探测


参数

产品型号

UPD-100M-A

UPD-200M-A

UPD-300M-A

UPD-400M-A

UPD-500M-A

UPD-600M-A

UPD-800M-A

UPD-1G-A

UPD-1.2G-A

UPD-1.5G-A

UPD-2G-A

UPD-2.5G-A

UPD-5G-A

单位

探测器类型

InGaAs


波长

800~1700

nm

带宽

100M

200M

300M

400M

500M

600M

800M

1G

1.2G

1.5G

2G

2.5G

5G

Hz

探测器响应度

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

A/W@1550nm

跨阻增益

30K

30K

30K

20K

15K

15K

30K

30K

30K

30K

30K

30K

6K

V/W

饱和光功率

140

140

140

420

280

280

140

140

140

420

140

140

700

μW

NEP

2.2

2.2

2.2

2.7

3.1

3.1

3.3

3.3

3.3

3.3

3.3

3.3

3.3

pW/Sqrt(Hz)

输出阻抗

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

Ω

输出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC

DC

AC

AC

AC

AC

AC

AC

AC


供电电压

5

5

5

5

5

12

12

12

12

12

12

12

12

V

供电电流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.3

A

光学输入

FC/APC(自由空间光可选)

FC/APC


射频输出

SMA

SMA


外形尺寸

65*50*20

65*50*25

80*90*25

mm



测试结果



300MHz超低噪声单元探测器




超低噪单元探测器与常规单元探测器底噪对比



二,铟镓砷 InGaAs 超低噪声模拟PIN单元探测器 PD系列 800~1700nm

总览

高速低噪声光电探测器模块集成了超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点,可以有效的减少信号的共模噪声,提高系统的信噪比。

铟镓砷 InGaAs 超低噪声模拟PIN探测器,单元探测器 800~1700nm,铟镓砷 InGaAs 超低噪声模拟PIN探测器,单元探测器 800~1700nm

产品特点

● 噪声低

● 高增益

● 高带宽

● 结构紧凑

● 内置低噪隔离电源

产品应用

分布式光纤传感

激光测风雷达

光学相干层析

光谱测量

ns 级光脉冲探测

光纤通信

其它科研应用

通用参数

产品型号

PD-100M-A

PD-200M-A

PD-350M-A

PD-800M-A

PD-1.6G-A

单位

探测器类型

InGaAs

波长

800~1700

800~1700

800~1700

800~1700

800~1700

nm

带宽

DC-100M

DC-200M

DC-350M

AC-800M

AC-1.6G

HZ

探测器响应度

0.95@1550nm

0.95@1550nm

0.95@1550nm

0.95@1550nm

0.95@1550nm

A/W

跨阻增益

30k

30k

30k

30k/700

30k/700

V/A

饱和输入光功率

140

150

150

150/2000

150/2000

μW

NEP

5

5

5

9

9

pW/Sqrt(Hz)

输出阻抗

50

50

50

50

50

Ω

输出耦合方式

DC

DC/AC

DC/AC

AC

AC


供电电压

5

5

5

12

12

V

供电电流

0.25(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

A

光学输入

FC/APC

FC/APC

FC/APC

FC/APC

FC/APC


射频输出

SMA

SMA

SMA

SMA

SMA


外形尺寸

65*50*20

75*55*25

75*55*25

75*55*25

75*55*25

mm

寿命

1000小时

相干长度

2-3米

使用说明

1.该 模块供电电压为5V,供电电流最大值为0.25A.

2. Input 为光输入接口; RF为射频输出接口.

3.接入输入端前请确保端面清洁防止脏污对测量结果造成影响.


三, 铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅱ型 0.9-1.7um




铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅱ型 0.9-1.7um


应用领域:光谱探测与分析、气体分析、水含量分析等

产品特点:正照射结构、灵敏度高、响应时间快、内部集成二级热电制冷器


铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅱ型 0.9-1.7um,铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅱ型 0.9-1.7um

产品特点

正照射结构

灵敏度高

响应时间快

内部集成二级热电制冷器


产品应用

光谱探测与分析

气体分析

水含量分析等



通用参数
特性参数典型值备注
光敏面直径1mm可订制
规模单元
工作温度-20~+60 ℃
储存温度-55~+70 ℃
波段0.9~1.7 um
峰值波长1.55 um
峰值量子效率≥90%室温
峰值响应率≥1.1A/W-室温
器件阻抗1.5×109Ω室温
暗电流≤8x10-12A@-0.1V,室温
等效噪声功率≤3*10-14 W/Hz1/2@1.55um,室温
峰值探测率≥3x1012 cm.Hz1/2/W室温
封装形式内部集成热电制冷器、TO-9管壳可订制



典型光谱响应曲线:

360截图20230526133859498.jpg





四, 铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅰ型 1.0-2.5um




铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅰ型 1.0-2.5um

应用领域:光谱探测与分析、气体分析、水含量分析等

产品特点:正照射结构、灵敏度高、响应时间快、内部集成二级热电制冷器


铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅰ型 1.0-2.5um,铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅰ型 1.0-2.5um

产品特点

正照射结构

灵敏度高

响应时间快

内部集成二级热电制冷器


产品应用

光谱探测与分析

气体分析

水含量分析等



通用参数


特性参数典型值备注
光敏面直径1mm可订制
规模单元
工作温度-20~+60 ℃
储存温度-55~+70 ℃
波段1.0~2.5 um
峰值波长2.2 um
峰值量子效率≥70%-20℃
峰值响应率≥1.1A/W-20°C
器件阻抗2.5×105Ω-20℃
暗电流≤4x10-7A@-0.01V,-20℃
等效噪声功率≤4.5*10-13 W/Hz1/2@2.2um,-20℃
峰值探测率≥2x1011 cm.Hz1/2/W-20℃
封装形式内部集成热电制冷器、TO-9管壳可订制



典型光谱响应曲线:

搜狗截图20230525172118.png



五,单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ3000um


2023120410_185932568391.png


本系列其它产品型号 共4条

  名称型号货号  描述
单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ300um

P97M03T2-A

光谱响应范围:0.95-1.65um;峰值波长:峰值λP:1.55um; 感光面积:Φ300um;芯片尺寸:850×850um;二级制冷;峰值响应率S:1.0 A/W;
单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ500um

P97M05T2-A

光谱响应范围:0.95-1.65um;峰值波长:峰值λP:1.55um; 感光面积:Φ500um;芯片尺寸:1000×1000um;二级制冷;峰值响应率S:1.0 A/W;
单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ1000um

P97M10T2-A

光谱响应范围:0.95-1.65um;峰值波长:峰值λP:1.55um; 感光面积:Φ1000um;芯片尺寸:1410×1410um;二级制冷;峰值响应率S:1.0 A/W;
单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ2000um

P97M20T2-A

光谱响应范围:0.95-1.65um;峰值波长:峰值λP:1.55um; 感光面积:Φ2000um;芯片尺寸:2560×2560um;二级制冷;峰值响应率S:1.0 A/W;
产品总览

P97MXXT2系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构的InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器以及二级热电致冷器(TEC)组成,采用TO封装 形式。本使用手册仅针对该系列产品进行说明。

单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ3000um,单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ3000um
通用参数

探测器主要参数

结构参数

产品型号

封装

制冷形式

感光面积

(μm)

芯片尺寸

(μm)

电极尺寸

(μm)

P97M03T2-A

TO封装

二级制冷

Φ300

850×850

140×180

P97M05T2-A

Φ500

1000×1000

140×180

P97M10T2-A

Φ1000

1410×1410

140×180

P97M20T2-A

Φ2000

2560×2560

280×360

P97M30T2-A

Φ3000

3560×3560

320×480


光电参数

 

产品型号

测试温度 Tch (℃)

光谱响应范围 λ (μm)

暗电流 ID (nA)

结电容 C (f=1MHz,VR=0V) (pF)

VR=1V

VR=5V

P97M03T2-A

25

0.95±0.05 至 1.65±0.05

峰值

λP=1.55

0.1

0.5

50

P97M05T2-A

0.25

1

100

P97M10T2-A

1

4

300

P97M20T2-A

4

10

800

P97M30T2-A

10

40

2000

 

 

产品型号

峰值响应率

S

(A/W)

结阻抗Rsh(VR=10mV) MΩ

峰值探测率

D*

(cm·Hz 1/2/W)

噪声等效功率

NEP

(W/Hz1/2)

P97M03T2-A

1.0

3500

3×1012

8.9×10-15

P97M05T2-A

1000

1.5×10-14

P97M10T2-A

300

3.0×10-14

P97M20T2-A

80

5.9×10-14

P97M30T2-A

40

8.9×10-14


外形结构及电学接口


该款探测器尺寸为φ15.3mm×10mm(不含针脚);外壳底面上分布8根φ0.45mm针脚,针长13.5mm,用于TEC供电、温度传感器信号读取、探测器信号读出。感光面距离窗口下表面的设计值为2.3mm,距离安装面(即外壳底面)的设计值为6.2mm,窗口材料为蓝宝石,厚度为0.5mm,透光区域直径设计为φ9mm。感光面中心位于探测器中心,相对位置偏移<0.3mm,机械接口外观及尺寸、光学及电学接口如图所示。


响应光谱(典型值)



热学参数

使用环境

指标名称

典型值

工作温度(℃)

-45~+55

存储温度(℃)

-50~+60

 

热电致冷器特性

探测器内集成二级热电致冷器(TEC),散热面中心即为探测器下表

面中心,散热面积应≥6mm×6mm,其性能参数如下表所示:

 

性能指标

数值

Max. 热负载功率(Qmax/W)

0.93W

允许Max. 加载电流(ITEC-max/A)

1A

允许Max. 加载电压(VTEC-max/V)

2V

 

温度监测模块特性

本款探测器采用热敏电阻作为温度监控模块,在工作温度内电阻阻值与温度对应关系如下表所示:

温度(℃)

阻值(kΩ)

温度(℃)

阻值(kΩ)

-65

94.270

-15

6.909

-60

69.290

-10

5.587

-55

51.500

-5

4.549

-50

38.700

0

3.729

-45

29.400

5

3.075

-40

22.560

10

2.55

-35

17.490

15

2.126

-30

13.690

20

1.782

-25

10.810

25

1.5

-20

8.608

30

1.268




售后服务承诺

保修期: 1年

是否可延长保修期:

现场技术咨询:

免费培训: 我司实验室可进行培训

免费仪器保养: 1年内

保内维修承诺: 免费更换零件 调试等

报修承诺: 约定时间内进行维修调试

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光学仪器组件UPD-600M-A的使用方法?

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光学仪器组件UPD-600M-A可以检测什么?

光学仪器组件UPD-600M-A使用的注意事项?

筱晓光子UPD-600M-A的说明书有吗?

筱晓光子光学仪器组件UPD-600M-A的操作规程有吗?

筱晓光子光学仪器组件UPD-600M-A报价含票含运吗?

筱晓光子UPD-600M-A有现货吗?

铟镓砷 InGaAs 超低噪声 单元探测器 PD及UPD-A系列 800~2500nm信息由筱晓(上海)光子技术有限公司为您提供,如您想了解更多关于铟镓砷 InGaAs 超低噪声 单元探测器 PD及UPD-A系列 800~2500nm报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。
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