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一,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm
硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm
产品特点:
正照平面型芯片结构
高速响应
高增益
低结电容
低噪声
产品应用:
激光测距
激光雷达
激光警告
技术参数:
光电性能(@Ta=22±3℃)
器件型号 | 光谱响应范 围 (nm) | 峰值响 应波长 (nm) | 响应度 λ =905nm φ e =1μW M=100 (A/W) | 暗电流 M=100 (nA) | 响应时间 λ =905nm R L =50Ω (ns) | 工作电压 温度系数 T a =-40℃ ~85℃ (V/℃) | 总电容 M=100 f=1MHz (pF) | 击穿电压 I R =10μA (V) | ||
典型 | 最大 | 最小 | 最大 | |||||||
APD-SI-905-2-TO46 | 400~1100 | 905 | 55 | 0.2 | 1 | 0.6 | 0.9 | 1.0 | 130 | 220 |
APD-SI-905-5-TO46 | 0.4 | 1 | 1.2 | |||||||
APD-SI-905-8-TO46 | 0.8 | 2 | 2.0 | |||||||
APD-SI-905-2-LCC3 | 0.2 | 1 | 1.0 | |||||||
APD-SI-905-5-LCC3 | 0.4 | 1 | 1.2 |
结构/最大绝对额定值
器件型号 | 封装形式 | 光敏面直径 (mm) | 工作电压 (V) | 工作温度 (℃) | 储存温度 (℃) | 焊接温度 (℃) | 正向电流 (mA) | 耗散功率 (mW) |
APD-SI-905-2-TO46 | TO-46 | 0.23 | 0.9×V BR | -40~85 | -45~100 | 260 | 0.25 | 100 |
APD-SI-905-5-TO46 | TO-46 | 0.50 | ||||||
APD-SI-905-8-TO46 | TO-46 | 0.80 | ||||||
APD-SI-905-2-LCC3 | LCC3 | 0.23 | ||||||
APD-SI-905-5-LCC3 | LCC3 | 0.50 |
产品型号
名称 | 型号 | 描述 | 价格 | 货期 |
硅雪崩光电二极管
| APD-SI-905-2-TO46 | 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.23mm 封装:TO46 | ||
硅雪崩光电二极管
| APD-SI-905-5-TO46 | 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.50mm 封装:TO46 | ||
硅雪崩光电二极管
| APD-SI-905-8-TO46 | 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.80mm 封装:TO46 | ||
硅雪崩光电二极管
| APD-SI-905-2-LCC3 | 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.23mm 封装:LCC3 | ||
硅雪崩光电二极管
| APD-SI-905-5-LCC3 | 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.50mm 封装:LCC3 |
典型特性曲线
封装外形、尺寸及引脚定义
APD-SI-2-2/5/8-TO46(三脚和两脚封装)
APD-SI-2-2/5-LCC3
等效电路及应用电路
注:C 1 -滤波电容,滤除偏置工作电压 V R 的噪声。
C 2 -旁路电容,为交流信号提供对地回路。
R 1 -限流电阻,防止偏置工作电压 V R 过高时,损坏探测器。
R i -取样电阻,将光电流转化为电压信号。
定购信息:
型号规则
【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】
二,硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18
C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm,适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构,可在400和1000 nm之间提供高响应度,以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。
器件的响应度与最高约800 MHz的调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装,密封在平玻璃窗后面。
多型号C30902EH/C30902EH-2 C30902SH C30902SH-TC
C30902和C30921系列
用于微光应用的高速固态探测器
C30902EH系列雪崩光电二极管非常适合广泛的应用,包括激光雷达、测距、小信号荧光、光子计数和条形码扫描。
Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造。这种结构在400到1000纳米之间提供了高响应度,并且在所有波长上都提供了极快的上升和下降时间。该器件的响应度与高达800 MHz的调制频率无关。探测器芯片密封在一个改进的TO-18封装的平板玻璃窗后面。感光表面的有效直径为0.5 mm。
C30921EH封装在TO-18光管中,该光管允许从聚焦点或直径高达0.25 mm的光纤将光有效耦合到探测器。密封的TO-18封装允许光纤与光管端部匹配,以最大限度地减少信号损失,而无需担心危及探测器稳定性。C30902EH-2或C30902SH-2(带内置905nm通带滤波器的密封TO-18封装)和C30902BH(带密封球透镜)构成了C30902系列。
C30902SH和C30921SH均选用具有急低噪声和体暗电流的C30902EH和C30921EH光电二极管。它们适用于超微光级应用(光功率小于1 pW),可在增益高达250或更高的正常线性模式(VrVbr)下的光子计数器使用,其中单个光电子可触发约108个载波的雪崩脉冲。在这种模式下,不需要放大器,单光子检测概率可能高达约50%。
光子计数在门控和符合技术用于信号检索的情况下也是有利的。
主要特征
高量子效率:在830 nm时为77%
C30902SH和C30921SH可在盖革模式下运行
C30902EH/SH-2型,带内置905 nm过滤器
C30902BH型,带球形透镜
密封包装
室温下的低噪音
高响应度–内部雪崩增益超过150
光谱响应范围- (10%Q.E.点)400至1000纳米
时间响应–通常为0.5纳秒
宽工作温度范围-40°C至+70°C
符合RoHS标准
应用
•激光雷达
•测距
•小信号荧光
•光子计数
•条形码扫描
表1。电光特性
测试条件:外壳温度=22˚C,除非另有规定,请参见下页的注释。
。
C30902EH/C30902EH-2 | C30902SH | C30902SH-TC | ||||||||
Detector Type | C30902BH C30921EH | C30902SH-2 C30921SH | C30902SH-DTC | |||||||
Parameter | Min | Typ | Max | Min | Typ | Max | Min | Typ | Max | Units |
感光区 | ||||||||||
有效直径 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | mm | ||||||
active area | 0.2 | 0.2 | 0.2 | mm² | ||||||
光管特性(C30921) | ||||||||||
光管数值孔径 | 0.55 | 0.55 | [no units] | |||||||
岩芯折射率(n) | 1.61 | 1.61 | [no units] | |||||||
芯径 | 0.25 | 0.25 | mm | |||||||
Field of view α (see Figure 15) 视野α(见图15)
| ||||||||||
带标准/球形透镜窗口 (-2)内置905 nm滤光片
| 90 55 | 90 55 | 122 N/A | Degrees | ||||||
带灯管(在空气中)
| 33 | 33 | N/A | |||||||
Field of view α’ (see Figure 15) | ||||||||||
带标准窗口/球透镜 | 114 | 114 | 129 | Degrees | ||||||
(-2)内置905 nm滤光片 | 78 | 78 | N/A | |||||||
击穿电压, Vbr | 225 | 225 | 225 | V | ||||||
反向偏置温度系数, Vr,恒定增益电压 | 0.5 | 0.7 | 0.9 | 0.5 | 0.7 | 0.9 | 0.5 | 0.7 | 0.9 | V/˚C |
探测器温度(见注2) | ||||||||||
-TC | 0 | ˚C | ||||||||
-DTC | -20 | ˚C | ||||||||
Gain (see note 1) | 150 | 250 | 250 | |||||||
响应度 | ||||||||||
830 nm时(不适用于-2) | 70 | 77 | 117 | 128 | 128 | A/W | ||||
at 900 nm | 55 | 65 | 92 | 108 | 108 | A/W | ||||
量子效率 | ||||||||||
at 830 nm (not applicable for -2) | 77 | 77 | 77 | % | ||||||
at 900 nm | 60 | 60 | 60 | % | ||||||
Dark current, id | 15 | 30 | 15 | 30 | 15 | 30 | nA | |||
-TC (at 0 °C) | 2 | nA | ||||||||
-DTC (at -20 °C) | 1 | nA | ||||||||
Noise current, in (see note 3) -TC (at 0 °C) | 0.23 | 0.5 | 0.11 | 0.2 |
0.04 | pA/ÖHz pA/ÖHz | ||||
-DTC (at -20 °C) | 0.02 | pA/ÖHz | ||||||||
电容 | 1.6 | 2 | 1.6 | 2 | 1.6 | 2 | pF | |||
Rise/Fall time, RL=50 Ω 10% to 90% points |
0.5 |
0.75 |
0.5 |
0.75 |
0.5 |
0.75 |
ns | |||
90% to 10% points | 0.5 | 0.75 | 0.5 | 0.75 | 0.5 | 0.75 | ns | |||
最大驱动电流 | ||||||||||
-TC | 1.8 | A | ||||||||
-DTC | 1.4 | A | ||||||||
最大偏置电压 | ||||||||||
-TC | 0.8 | V | ||||||||
-DTC | 2.0 | V | ||||||||
5%光子检测时的暗计数率 probability (830 nm) (see Figure 9 and note 4) |
5000 |
15000 | 1100 (-TC) 250 (-DTC) |
15000 |
cps | |||||
电压高于Vbr,光子探测概率为5%(830nm) (见图7和注4) |
2 |
2 |
V | |||||||
5%光子检测时的脉冲比后 概率(830nm)(注5) | 2 | 15 | 2 | % |
1.在特定直流反向工作电压下,Vop或Vr,随每个装置提供,光斑直径为0.25 mm(C30902EH,SH)或0.10 mm(C30921EH,SH)。在180至250V的电压下运行,设备将满足上述电气特性限制。
2.热敏电阻的温度(开尔文)可为
使用以下方程式计算:[𝐾] = 𝛽 ,
项次(𝑅/𝑟∞)
式中,R是测量的热敏电阻电阻,单位为Ω,
𝛽 = 3200,R0=5100Ω,T0=298.15 K和r∞ =
− 𝛽R e ≅ 0.1113
表2–最大额定值
1.雪崩光电二极管中散粒噪声电流的理论表达式为in=(2q(Ids+(IdbM²+PORM)F)BW)½,其中q是电子电荷,Ids是暗表面电流,Idb是暗体电流,F是过量噪声系数,M是增益,PO是器件上的光功率,BW是噪声带宽。对于这些装置,F=0.98(2-1/M)+0.02 M(参考文献:PP Webb,RJ McIntyre,JJ Conradi,“RCA审查”,第35卷第234页,(1974年))。
2.C30902SH和C309021SH可在更高的检测概率下运行。(参见盖革模式操作部分)。
3.主脉冲后1µs至60秒发生脉冲后。
Parameter | Symbol | Min | Max | Units |
储存温度 | TS | -60 | 100 | °C |
工作温度 | Top | -40 | 70 | °C |
Soldering for 5 seconds (leads only) 焊接5秒钟(仅限引线) | 260 | °C | ||
室温反向电流 | ||||
平均值,连续运行 | 200 | µA | ||
峰值(1s持续时间,非重复) | 1 | mA | ||
室温正向电流 | ||||
平均值,连续运行 | IF | 5 50 | mA mA | |
峰值(1s持续时间,非重复) | 60 | mW |
保修期: 1年
是否可延长保修期: 是
现场技术咨询: 有
免费培训: 我司实验室可进行培训
免费仪器保养: 1年内
保内维修承诺: 免费更换零件 调试等
报修承诺: 约定时间内进行维修调试
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