MEMS代加工|射频微型麦克风压力传感器加速度计陀螺仪
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核心参数

MEMS加工|射频MEMS微型麦克风压力传感器加速度计陀螺仪

纳米加工分为三个不同的领域:薄膜、光刻和蚀刻。


关于薄膜,采用蒸镀等物理气相沉积方法;溅射;和脉冲激光和化学气相沉积对低压 CVD、等离子体增强 CVD 和原子层沉积等 (CVD) 进行了综述。


关于光刻,首先讨论接触掩模光刻的原理,然后是紫外 (UV) 投影光刻,最后是用于集成电路制造的更先进的系统,如深紫外 193 纳米和浸没式光刻系统。简要回顾了诸如双图案和自对准图案等分辨率增强技术。还讨论了非光学光刻,例如电子束光刻、聚焦离子束光刻和纳米压印光刻。


关于蚀刻的。主题包括湿法化学蚀刻、等离子蚀刻和深硅蚀刻中使用的技术。


实验室平台拥有设备等共计200余台,其中主要设备(40余台)包括:

·图形化设备

电子束曝光、激光直写、台式接触式光刻机、桌面式光刻机等

·薄膜沉积设备

ICP-PECVD、LPCVD、磁控溅射、电子束蒸发镀膜、PE-ALD、DLC薄膜沉积等、电镀 (Au、Ag、Cu、Ni、Sn等)

·刻蚀设备

ICP—RIE、RIE、IBE、DRIE深硅刻蚀、XeF2表硅刻蚀机、HF气相刻蚀等干法刻蚀设备和满足体硅、介质膜、金属氧化物、金属等的湿法刻蚀设备以及相配套的二氧化碳超临界释放设备

·表征和测试设备

AFM、台阶仪、Raman光谱、SEM、FIB、共聚焦显微镜、白光干涉仪、红外热成像仪、FEMTO—TOOLS微纳力学测试仪、超高速相机、3D多普勒激光测振仪、DC/RF探针台(60GHZ)、网络分析仪(60GHz)、半导体分析仪、阻抗分析仪以及高精度电学原表等

·器件后道封装设备

晶圆减薄、CMP抛光、晶圆键合、贴片机、划片机、打线机、固晶机、激光焊接机等团队自主研发的加工设备,封测设备。

平台技术能力

 

·工艺整合及平台能力

—导电DLC膜层(超滑副,导电超硬膜层等)

—AIN/PZT薄膜工艺(压电驱动材料)

—大尺寸高定向碳材料生长和器件加工工艺

—键合:阳极键合、玻璃焊料键合、共晶键合(AIGe)、扩散键合工艺

—气氛或真空封装、Reseal

—研磨减薄和原子级抛光工艺

—硅基全湿法微纳加工工艺—柔性衬底微纳器件加工

·制造与封测能力

—硅通孔(TSV)玻璃通孔(TGV)

—压力/气体/红外/湿度传感器

—微流控芯片加工和相关测试

一超滑射频/惯性器件加工能力

—Die的全封装能力

应用类别设备名称设备型号工艺参数
镀膜低压力化学气相沉积(LPCVD)HORIS L6471-1可沉积SIN,TEOS,poly等薄
膜 1-50片/炉
热氧化炉管热氧化
退火快速退火炉RTPAnnealsys AS-One 150最高温度到1500℃, 升温速率
最大200℃/s
FIB加工聚焦离子束 FIBThermo Fisher Scios 2 HiVac
TEM样品制备
SEM形貌观测场发射环境扫描电镜ESEMThermo Fisher Quattro S
SEM能谱分析
电子束蒸发镀膜-金属电子束蒸发FU-20PEB-950蒸镀金属薄膜、可做lift-off工艺镀膜、8寸基片向下兼容
电子束蒸发镀膜-介质电子束蒸发FU-12PEB蒸镀介质薄膜一炉可镀10片四寸基片
磁控溅射镀膜-金属磁控溅射系统FSE-BSLS-RD-6inch溅射金属薄膜、6寸基片
原子层沉积等离子体增强原子层沉积系统ICPALD-S200当前以Al2O3为主
DLC镀膜类金刚石薄膜化学沉积系统CNT-DLC-CL200
干法刻蚀干法刻蚀机北方华创硅Bosch和超低温刻蚀、SiO2与石英深刻蚀,8英以下
IBE刻蚀离子束刻蚀系统(IBE)AE4三维结构材料刻蚀,刻蚀陡直度优于85度,刻蚀精度10nm
等离子体去胶微波等离子体去胶机Alpha Plasma
紫外光刻紫外光刻机SUSS MA6BA6GEN4对准精度:±0.5um,分辨率600nm
电镀电镀机WPS-200MT镀Cu、镀Au、镀镍/镍合金
临界干燥超临界点干燥仪Automegasamdri-915B
划片切割机划片机Disco D323
晶圆键合晶圆键合机SUSS MicroTec SB6Gen2阳极键合
AFM测试高分辨原子力显微镜Oxford Cypher ES
原子力显微镜Park Systems NX20
电子束光刻电子束光刻机Elionix ELS-F125G8不含匀胶等费用,材料费根据用胶类型另计

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售后服务承诺

保修期: 1年

是否可延长保修期:

现场技术咨询:

免费培训: 1

免费仪器保养: 1年2次

保内维修承诺: 按国家规定

报修承诺: 按国家规定

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