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EUV极紫外辐射光可以通过气体放电产生，也可以通过使用脉冲激光向目标发射而产生。我们实现了一种紧凑的，由气体放电驱动的EUV光源，应用领域包括EUV光刻，纳米结构制造，X射线显微镜和反射式表面分析领域。波长在2至20 nm范围内的短波EUV光源为纳米级表面的结构化和分析开辟了新的可能性。
极紫外光刻已被认为是最有前景的光刻技术之一，使用EUV光刻技术在13.5 nm波长下进行芯片制造成为各大厂的选择。
我们的服务范围包括针对客户需求的可行性研究和技术咨询，EUV光源及相关检测设备。
● 干涉光刻制造纳米结构
●EUV显微镜进行掩模检查
●EUV掩膜版的缺陷检查
●X射线显微镜
●EUV反射法（分析表面和纳米层）
保修期: 1年
是否可延长保修期: 是
现场技术咨询: 无
免费培训: 无
免费仪器保养: 无
保内维修承诺: 无
报修承诺: 无
