半导体技术的一个重要目标是减少构成所有半导体器件中，晶体、多晶和非晶层中固有的和由工艺引起的缺陷。杂质、晶界、晶面等引起的缺陷导致陷阱的产生，陷阱可以俘获自由电子和空穴。即使浓度非常低，陷阱也能极大地改变设备的性能。深能级瞬态光谱(DLTS)是现在一种非常通用的技术，用于测定与陷阱相关的几乎所有参数，包括密度、热界面（热发射率）、能级和空间剖面。
主要特点
●快速而灵敏地检测半导体中的电活性缺陷
●高灵敏度：体陷阱检测限< 109 atoms/cm3；
●具有低至3微秒的快速响应时间
●具有对过载的快速恢复能力以及对泄露电流的高免疫能力
●快速温度扫描能力：每8分钟100K且不影响灵敏度
●高达60dB的背景电容抑制能力度
●数字采集包括：16位分辨率，1毫秒的采样增量，50倍的时间跨度，和不限平均点数的平均瞬态
●单次温度扫描可同时记录不同发射率窗下的8幅谱图
主要应用
●PN结 ●肖特基二极管
●MOS管 ●LED
●场效应管 ●半导体激光器
●高电阻率半绝缘材料
