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北京飞凯曼科技有限公司提供匈牙利Semilab公司WT-1200A 、WT-2000型、WT-1000型少子寿命测试仪、DLS-83D深能级瞬态谱仪、SE-2000全光谱椭偏仪、扩展电阻测试仪、汞CV测试仪、非接触式霍尔效应测试仪、原子力显微镜、扫描探针显微镜、纳米压痕测试仪等。
WT-1200A是一种单点、非接触硅片载流子寿命测试仪。它可以快速无接触地表征硅块、硅片以及电池片生产过程中每个工艺步骤后的半成品以及成品电池片的体内和表面的缺陷和玷污，是一种非常有用的质量监测和质量控制工具。
优势:
l 符合Semi 标准F1535-00
l 符合中国国家标准GB/T26068-2010
l 与电池线厂保持相同的业界硅片控制标准
l 可测试样品的任何位置
l 可测量单晶或多晶材料
l 有可选择的表面化学钝化专利技术
l 可测量任意工艺加工步骤后的半成品太阳能电池片
2.技术及原理
a)微波光电导衰减法测量少子寿命
微波光电导衰减法(Microwave Photo Conductivity Decay)是半导体最常用的少子寿命测试方法。光照会在半导体中产生过剩载流子（电子-空穴对）。由于这些载流子的产生，样品电导率随之增加。当外界激励消失后，非平衡载流子将通过复合等过程消失，样品的电导率也随着非平衡载流子的消失而降低。根据样品电导率的衰减就可以推算出少数载流子寿命。该方法的优点是可靠性高、重复性好、测量时间短以及扫描测量时分辨率高。
稳态微波光电导衰减法
准稳态微波光电导衰减法（QSS μ-PCD）是一种可用于晶硅光伏，特别是钝化效果的有效检测方法。准稳态微波光电导衰减法少子寿命测试技术结合了有效寿命测量和准稳态控制注入水平的优点。优化注入水平可以更好地检测钝化效果，评估有效表面复合。
准稳态微波光电导衰减法可以作为硅片的来料检也可以检测工艺后以及钝化后的硅片。可以同时测量有效寿命和注入水平，准确度高，重复性好。
准稳态微波光电导衰减测试可以得到：有效寿命（τeff）、扩散时间常数（τdiff）、表面复合速率（S）、发射极有效表面复合（Seff）以及发射极饱和电流（J0）。
3.性能指标
a)有效少子寿命 | |
测试范围：0.1μs to 30 ms | 0.1μs to 30 ms |
分辨率： | 0.1% |
重复性： | 2% |
b)稳态少子寿命 | |
测试范围： | 50μs to 30 ms |
分辨率： | 0.10% |
重复性： | 2% |
