系统特征

 1.    优质的硅片抛光效果
2.    可视趋势屏幕
3.    抛光垫温度传感器
4.    多种抛光液& 高压力D.I水
5.    抛光垫调节器可来回控制区间
6.    硅片自动循环
7.    研磨层探测功能 (选项可设)
8.  可测试抛光垫的厚度 (选项可设)

应用领域

 1.     半导体CMP 工序(Semiconductor CMP)
 
2.     MEMS CMP
3.   学校，研究院—高品质科研测试(University, Lab
 
_High Quality Performance Test)
4.     硅片研磨代工(Wafer Polishing Service)
5.     CMP耗材研发(CMP Consumable Parts)

_ CMP 抛光液，金刚石 研磨垫修整器 ，CMP PAD尺寸大小

_ 1100x2130x2180(W x L x H, mm)
2.抛光头(Membrane)
 
_300mm,200mm transferable
 
_3 and 5 Zone Polishing Carrier Compatible

3.抛光平台

 
_Rotary Type
_Φ30intch,Teflone Coated

4 .抛光垫调整器/Pad  Conditioner

 
_ In & Ex-situ application
 
_13 zone control sweep type

5 .低消耗材料/Low Cost of Ownership

 
_Wafer,Pad,Slurry,Disk

系统特征

1. 优质的硅片抛光效果

_  最适合研发的系统
_ 抛光垫调整器可扫13个区_19来回/分
_   抛光头有规律的直线运动
_12个孔能调节抛光液的投入位置
_可控制区的抛光头
_可控制低压力0.14~14psi
_可用300mm和200mm的抛光头

2. 趋势可视的屏幕

_     实时晶圆压力，马达转速，温度&负荷等可视屏幕

3. 抛光垫温度传感器

_抛光期间用来测定抛光垫表面温度
_高转速10m/s
_装置了激光测试点

4.  多种抛光液&高压力D.I水

 
_  有两个供给抛光液的泵
_氧化物, 钨, 铜,  二氧化铈等
_流率0~500cc/min
_双排喷嘴排列便于高压下清洗效果更佳
 
_通过不同角度的喷嘴更干净的清洗抛光垫

5. 调整器来回摆动控制区

_可在线(In-situ)& 脱机(Ex-situ)使用
_13区可控摆动
_可设置不同区间停留时间

6. 硅片自动循环

_有关自动循环设置主画面里显示
_在Dummy 步骤中可重复抛光一个晶圆

7. 探测研磨层的功能 (可选择设置)

_钨，铜Process
_实时数据分析
_可控制进程
_起点&终点信号

8. 可检测抛光垫厚度的功能(可选择设置)

_测量抛光垫槽表面或深度
_抛光垫图表数据
_间距 : 80±10mm
_反复测量误差范围：3?