BATOP?皮秒微片激光器芯片Microchip

BATOP皮秒微片激光器芯片Microchip

产品简介

BATOP皮秒微片激光器芯片Microchip，即被动调Q一体化激光微芯片，由一块掺钕钒酸钇（Nd:YVO3）激光晶体和一块可饱和吸收镜SAM组成。激光腔长度L在100um-300um范围内，主要取决于激光晶体的厚度。典型情况下，钕（Nd）掺杂浓度为2%或3%。可饱和吸收镜SAM起到调Q的作用，在1064nm处的反射比一般为0.75-0.9。在连续激光泵浦下，激光晶体上能级电子束逐渐增多，直到自发辐射增益达到最大为止。然后可饱和吸收镜吸收饱和，并发射出一个激光脉冲。详细请参考 Applied Physics, Vol. B97, p.317, 2009 (pdf)

屹持光电长期负责德国Batop公司在中国区域的销售以及售后代理。BATOP从事的专业领域包括：低温分子束外延技术，介质溅射镀膜，晶圆加工和芯片安装技术。在过去几年里， BATOP 已成为一个用于被动锁模激光器的可饱和吸收体供应商。可饱和吸收产品集合了各式各样的不同的器件，从可饱和吸收镜(SAM™)，到可饱和输出镜(SOC)和用于透过应用的可饱和吸收体(SA)。迄今为止，可饱和吸收产品已经覆盖了800nm到2.6μm的常用激光波长范围。

BATOP皮秒微片激光器芯片Microchip提供两种规格：MC-反射型激光微芯片  以及 MCT-透射型激光微芯片

BATOP皮秒微片激光器芯片Microchip

产品规格

一、反射型激光微芯片：>>MC - Microchip in reflection mode

            • Nd：YVO4激光晶体与可饱和吸收镜（SAM）结合。
            • 激光输出光束与泵浦光束反向，必须使用二色镜将其与泵浦光分开。
            • 激光输出是线偏振的，偏振方向垂直于铜散热器中的凹槽。

反射型Microchip皮秒激光器微芯片微片激光器

Part No.	Delivery time	Description	Data PDF
MC-1064-100ps	1 week	• Microchip in reflection mode • Emission wavelength λ = 1064 nm • Pulse duration ~ 100 ps • Pulse energy ~ 20 nJ • Repetition rate 20 kHz - 700 kHz • Pump wavelength 808 nm
MC-1064-240ps	1 week	• Microchip in reflection mode • Emission wavelength λ = 1064 nm • Pulse duration ~ 240 ps • Pulse energy ~ 30 nJ • Repetition rate 50 kHz - 800 kHz • Pump wavelength 808 nm

二、透射型激光微芯片：>>MCT - Microchip in transmission mode

            • Nd：YVO 4激光晶体与饱和输出耦合器（SOC）结合。
            • 激光输出光束与泵浦光束的方向相同。
            • 激光输出是线性偏振的。

透射型Microchip皮秒微片激光器芯片

Part No.	Delivery time	Description	Data PDF
MCT-1064-100ps	1 week	• Microchip in transmission mode • Emission wavelength λ = 1064 nm • Pulse duration ~ 100 ps • Pulse energy ~ 60 nJ • Repetition rate 20 kHz - 200 kHz • Pump wavelength 808 nm
MCT-1064-200ps	1 week	• Microchip in transmission mode • Emission wavelength λ = 1064 nm • Pulse duration ~ 200 ps • Pulse energy ~ 60 nJ • Repetition rate 20 kHz - 200 kHz • Pump wavelength 808 nm