看了俄歇电子能谱(AES)的用户又看了
PHI公司的PHI710扫描俄歇纳米探针是一台设计独特的高性能的俄歇电子能谱(AES)仪器。该设备能分析纳米级特征区域,超薄薄膜和多层结构表界面的元素态和化学态信息。作为高空间分辨率,高灵敏度和高能量分辨率的俄歇电子能谱仪, PHI 710可以为用户提供纳米尺度方面的各种分析需求。
PHI710主要特点:
l SEM分辨率≤ 3 nm, AES分辨率≤ 8 nm
在俄歇能谱的采集分析过程中,包括谱图,深度剖析及元素分布像,需要先在SEM图像上定义样品分析区域,必然要求束斑直径小且稳定。PHI 710的SEM图像的空间分辨率优于3nm,AES的空间分辨率优于8nm(@20kV,1nA),如下图所示:
l 图2则是关于铸铁韧性断裂的界面分析,左边是SEM图像,中间是钙、镁、钛的俄歇成像,右边则是硫的俄歇成像,这充分证明了PHI 710在纳米级尺度下的化学态的分析能力。
l 同轴筒镜分析器(CMA):
PHI 公司电子枪和分析器同轴的几何设计,具有灵敏度高和视线无遮拦的特点,满足了现实复杂样品对俄歇分析全面表征能力的需求。如上图所示,所有俄歇的数据都是从颗粒的各个方向收集而来,成像没有阴影。
若设备配备的不是同轴分析器,则仪器的灵敏度会降低,并且成像有阴影,一些分析区域会由于位置的原因,而无法分析。如果想要得到高灵敏度,只能分析正对着分析器的区域。如下图所示,若需要对颗粒的背面,颗粒与颗粒之间的区域分析,图像会有阴影。
l 俄歇能谱仪的化学态成像:
l 图谱成像
PHI710能从俄歇成像分析的每个像素点中提取出谱图的相关信息,该功能可以实现化学态成像。
l 高能量分辨率俄歇成分像
下图是半导体芯片测试分析,测试的元素是Si。通过对Si的俄歇影像进行线性最小二乘法拟合(LLS),俄歇谱图很清楚的反映出了三个Si的不同化学态的区域,分别是:单质硅、氮氧化硅和金属硅,并且可以从中分别提取出对应的Si的俄歇谱图,如最下方三张图所示。
l 纳米级的薄膜分析
如下SEM图像中,以硅为衬底的镍的薄膜上有缺陷,这是由于退火后,在界面处形成了硅镍化合物。分别在缺陷区域和正常区域设定了一个分析点,分析条件为高能量分辨率模式下(0.1%),电子束直径20nm,离子枪采用0.5kV设定,如下图所示:在MultiPak软件中,采取最小二乘拟合法用于区分金属镍和硅镍化合物,同样区分金属硅和硅化物。可以看出,硅镍化合物仅存在于界面处,而在镍薄膜层和硅衬底中都不存在。但是,在镍涂层的缺陷处,发现了硅镍化合物。
l PHI SmartSoft-AES用户界面:PHI SmartSoft是一个从用户需求出发而设计的软件。该软件通过任务导向的方式指引用户导入样品,定义分析点,并设置分析条件,可以让新手快速,方便地测试样品,并且用户可以很方便的重复之前的测量。
l PHI MultiPak 数据处理软件:MultiPak软件拥有最全面的俄歇能谱数据库。采谱分析,线扫描分析,成像和深度剖析的数据都能用MultiPak来处理。软件强大的功能包括谱峰的定位,化学态信息及检测限的提取,定量测试和图像的增强等。
l 选配件:
1. 真空室内原位样品泊放台;
2. 原位脆断;
3. 真空传送管;
4. 预抽室导航相机;
5. 电子能量色散探测器(EDS);
6. 电子背散射衍射探测器(EBSD);
7. 背散射电子探测器(BSE);
8. 聚焦离子束(FIB);
l 应用领域:
•半导体器件:缺陷分析、蚀刻/清洁残余物分析、短路问题分析、接触污染物分析、界面扩 散现象分析、封装问题分析、FIB器件分析等。
•显示器组件:缺陷分析、蚀刻/清洁残余物分析、短路问题分析、接触污染物分析、接口扩 散现象分析等。
•磁性存储器件:表面多层、表面元素、界面扩散分析、孔洞缺陷分析、表面污染物分析、磁 头缺陷分析、残余物分析等。
•金属、合金、玻璃及陶瓷材料:表面沉积物分析、清洁污染物分析、晶间晶界分析等。
用户单位 | 采购时间 |
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西安交通大学材料学院 | 2021-09-14 |
浙江大学信息科学与电子工程学院 | 2021-09-14 |
天目湖先进储能技术研究院 | 2018-04-30 |
中国科学院苏州纳米材料与仿生研究所 | 2019-07-26 |
清华大学材料中心 | 2015-12-04 |
保修期: 1年
是否可延长保修期: 是
现场技术咨询: 有
免费培训: 基础培训4天,初级培训4天,高阶培训4天,具体时间双方商定。
免费仪器保养: 质保期内每年1次。
保内维修承诺: 质保期内免费维修、免费更换故障零配件,故意人为原因除外。
报修承诺: 接报2小时内快速电话/电邮/微信响应,重大故障48小时到达现场。
俄歇电子能谱(Auger Electron Spectroscopy, AES)作为表面分析技术领域的纳米探针技术,在固体材料表面纳米尺度的元素成分分析及形貌表征方面发挥着重要作用。AES不仅能通过从样品表面激发出二次电子以观察表面形貌,还能通过探测俄歇电子进行表面成分分析和深度分析。
俄歇电子能谱仪(AES),作为表面分析技术领域的纳米探针,在固体材料表面纳米尺度的元素成分分析及形貌表征方面发挥着重要作用。AES采用场发射电子源作为探针,不仅能通过从样品表面激发出二次电子以观察表面形貌,还能通过探测俄歇电子,用于表面成分分析。此外,AES通过集成的溅射离子枪赋予了对材料纵向深度的逐层剖析能力,从而深入洞悉材料从表面至内部的成分变化与分布规律。 本篇技术文章将主要介绍AES的基本功能:表面元素的定性分析、定量分析以及化学态分析。
Ar-GCIB团簇离子尺寸测量配件作为优化GCIB溅射能力的有效工具,能够实现溅射损伤和溅射速率之间的平衡,为新型纳米材料和复杂混合样品的深度分析提供了强大工具。
ULVAC-PHI俄歇电子能谱PHI 710的工作原理介绍
俄歇电子能谱PHI 710的使用方法?
ULVAC-PHIPHI 710多少钱一台?
俄歇电子能谱PHI 710可以检测什么?
俄歇电子能谱PHI 710使用的注意事项?
ULVAC-PHIPHI 710的说明书有吗?
ULVAC-PHI俄歇电子能谱PHI 710的操作规程有吗?
ULVAC-PHI俄歇电子能谱PHI 710报价含票含运吗?
ULVAC-PHIPHI 710有现货吗?
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