显微光致发光光谱仪

    光致发光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光，在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光（波长如325nm、532nm、785nm 等）激发材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）产生荧光，通过对其荧光光谱（即PL 谱）的测量，分析该材料的光学特性，如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息，是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法，因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。

    传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合，但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中，存在很大的局限性，比如无法灵活的选择实验所需的激光器（特别对于UV 波段的激光器，没有足够适用的配件），无法方便的与超低温制冷机配合使用，采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题，都是采用标准显微镜难以回避的问题。

    北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求，推出了“OmniPLMicroS”系列显微光致发光光谱仪，有效的解决了上述问题，是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。

性能特点：

•  一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校，确保高效性和易用  性

•  简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换，适用于各种常见的样  品形态

•  超宽光谱范围**——200nm-1600nm

•  视频监视光路——可供精确调整测试点

•  独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性

•  多种激发波长可选**——325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等

•  自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间，可定制特殊规格

•  电致发光(EL)功能可选*——扩展选项

•  显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项

•  超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量

*选配项，请详细咨询；

**需根据实际需要进行配置确定。

参数规格表*

应用:

不同制冷温度下GaN材料的PL谱

激发波长：325nm，功率：20mW，制冷机最低制冷温度：10K

ZnO材料的PL谱:

    激发波长：325nm; ZnO 薄膜样品在382nm 处有一个特别强的荧光谱带，而在500 ～ 600nm 波段，有个弱的可见光荧光谱带。通过研究这些谱带，可以反映ZnO 表面态对荧光的影响以及晶型和缺陷信息。