德国林赛斯 薄膜物性分析仪(导热、赛贝克、霍尔&#823&#823)
德国林赛斯 薄膜物性分析仪(导热、赛贝克、霍尔&#823&#823)

¥150万 - 200万

暂无评分

德国林赛斯

暂无样本

TFA

--

欧洲

  • 白金
  • 第20年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
核心参数

产地类别: 进口

精确度: ±9%

重复性: ±4.5%

物理特性薄膜表征系统高度集成且易于使用的测量平台。  

薄膜的物理性质不同于大块材料,因为由于尺寸较小和高纵横比使寄生表面效应更强  

  • 增强表面散射的影响(a)

  • 附加边界散射(b)

  • 超薄层的量子约束c) 

 

LINSEIS薄膜物性分析仪表征各种薄膜样品优异测量工具。它是一种易于使用的独立系统,使用正在申请专利的测量系统设计可提供高质量的结果。  

组件  

基本设置包括一个可以轻松沉积样品的测量芯片,以及提供所需环境条件的测量室。 根据应用,该设置可与锁定放大器和/或强电磁铁一起使用。 测量通常在UHV下进行,并且在测量期间使用LN2和强力加热器将样品温度控制在-170°C和280°C之间。  


 

预制测量芯片  

该芯片将用于热导率测量的3 ω技术与用于测量电阻率和霍尔系数的4Van-der-Pauw技术相结合。 贝克系数可以使用位于Van-der-Pauw电极附近的附加电阻温度计来测量。 为了便于样品制备,可以使用剥离箔掩模或金属阴影掩模。 该配置允许几乎同时表征通过PVD(例如热蒸发,溅射,MBE),CVD(例如ALD),旋涂,滴铸或喷墨打印制备的样品  

   

   

该系统的一大优点是在一次测量运行中同时确定各种物理特性。所有测量都采用相同(平面内)方向,并且具有很高的可比性。  


基本测量单元 :  

   

测量室,真空泵,带加热器的支架,电子颊侧装置,集成锁相放大器,3w方法分析软件,计算机和应用软件。可测以下物理参数:  

   

• λ - 热传导系数 (稳态法/平面内方向)  

• ρ - 电阻率  

• σ - 电导率  

• S - 赛贝克系数  

•  ε – 发射率  

Cp - 比热容  

   

磁测量单元  

   

可根据需求选择集成式电磁铁,可测物理参数如下:  

• AH - 霍尔常数  

• μ –迁移率  

• n -载流子浓度  

   

薄膜材料性能有别于块体材料之处  

-        因小尺寸和高纵横比所导致的表面效应如:边界散射和量子限域效应  

 

*价格范围仅供参考,实际价格与配置等若干因素有关。如有需要,请拨打电话咨询(021-50550642;010-62237791)。我们定会将竭尽全力为您制定完善的解决方案。

 

相关方案

  • 采用磁控溅射法在氩气氛中制备了Mg-Sn薄膜(21≤at. % Sn≤42.5)。薄膜的结构和形态特征是组成的函数。随着薄膜中Sn含量的增加,Mg2Sn结构由稳定的面心立方结构转变为亚稳定的正交结构。讨论了在较广温度范围内(30-200 C),这种结构改变对温差电性能的影响。测量了薄膜载流子浓度和迁移率,以解释作为薄膜结构修饰函数的电子传输行为。当Sn含量为36at.%时,在200℃品质因数达到最大值ZT≅0.26。此时,立方和正交的Mg2Sn结构共存。在真空 (~10-4Pa)下,在不同温度(最高600℃)下进行退火处理,以确定薄膜结构和形态稳定性的极限。

    电子/电气 2020-05-08

  • 采用磁控溅射法在氩气氛中制备了Mg-Sn薄膜(21≤at. % Sn≤42.5)。薄膜的结构和形态特征是组成的函数。随着薄膜中Sn含量的增加,Mg2Sn结构由稳定的面心立方结构转变为亚稳定的正交结构。讨论了在较广温度范围内(30-200 C),这种结构改变对温差电性能的影响。测量了薄膜载流子浓度和迁移率,以解释作为薄膜结构修饰函数的电子传输行为。当Sn含量为36at.%时,在200℃品质因数达到最大值ZT≅0.26。此时,立方和正交的Mg2Sn结构共存。在真空 (~10-4Pa)下,在不同温度(最高600℃)下进行退火处理,以确定薄膜结构和形态稳定性的极限。

    电子/电气 2020-05-08

售后服务承诺

保修期: 1年

是否可延长保修期:

现场技术咨询:

免费培训:

免费仪器保养: 按需

保内维修承诺: 按需

报修承诺: 按需

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