其它常用设备UHV-MBE+PLD+Sputter

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型号

UHV-MBE+PLD+Sputter

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产地

港澳台

台灣鎧柏科技有限公司

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核心参数

特别感谢,成功大学等实验室，采用铠柏科技公司生产的超高真空(UHV)系统整合(三合一)-分子束外延(MBE)+ 脉冲激光沉积蒸镀(PLD)+磁控溅镀(Sputter)

本公司能在德、日主流大厂环绕下，用坚强的研发团队及厚实的经验，为广大科研人员提供高性能的客制化实验设备及制程解决方案。

概念

　　超高真空(UHV)系统整合(三合一)-分子束外延(MBE)+ 脉冲激光沉积(PLD)+磁控溅镀(Sputter)真空系统之间整合的好处为于镀膜全程都在镀膜的真空条件中避免了样品传输过程曝露在大气中造成污染或损伤，在真空制程科技越发先进的今日，整合为未来之趋势。
　　在设计整合腔体时需考虑许多因素以免不必要的干扰，因此需要严密的规划，铠柏科技拥有完整的整合的设计能力以及维护经验，并己装设于数个研究单位，为科技发展提供一份力量。
整合型系统所有的传输过程皆为高真空传输，而系统各腔体都配备Pfeiffer涡轮分子帮浦可于30分内达到5╳10^-6torr。

选配项目

进气流量控制(Down stream flow control)
排气流量控制(Up stream flow control)
镀膜修正屏蔽(Mask)
触控型计算机图形接口控制以及Labview为基础的控制软件

•反射高能电子衍射能谱仪分析系统(RHEED Gun):
本公司同时可提供绕射光点的振荡(Oscillation)分析软件，可观测镀膜成长时造成的衍射点的振荡特性

典型用户

用户单位	采购时间
國立成功大學	2010-03-16

相关仪器相关资料

COMPexPro_DS_revC_0710

铠柏公司(AdNaNo)生产的超高真空(UHV)系统所使用之激光系统。档案为美国激光大厂Coherent，所生产之激光的型号、规格、效能。

328MB 2012-12-28
Customized UHV chamber

UHV chamber 之外型特性，适用于系统整合超高真空(HUV)系统整合(三合一)- 分子束外延(MBE)+ 脉冲激光沉积蒸镀(PLD)+磁控溅镀(Sputter)，超高真空(HUV)系统整合(二合一)- 脉冲激光沉积蒸镀(PLD)(Pulsed Electron Deposition)+ 磁控溅镀(Sputter) 客制化系统-超高真空(HUV)磁控溅镀(sputter)系统单独系统脉冲激光沉积蒸镀(PLD)(Pulsed Electron Deposition) 超高真空(UHV)双电子束蒸镀系统(E-gun) 磁控溅镀(Sputter) 超高真空(UHV)分子束外延系统(MBE)( Molecular beam epitaxy )

264MB 2012-12-28

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