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美国SVT Laser MBE
Laser MBE具备PLD和传统MBE的特性,可对薄膜的生长速率进行精确(原子层级别)控制。通过在MBE系统上增加激光烧蚀工艺,系统可以生长包括高熔点陶瓷以及多元素固体材料等。SVT有18年的MBE设备制造经验,我们擅于通过原位的监控测量仪器来提高薄膜生长的质量。其中原位测量仪器包括:温度测量、厚度测量、RHEED、束流监控等。如果您想了解更多这方面的信息,请联系我们。
应用:
可用于研究氧化物半导体, 高温超导材料,光学晶体,电光学薄膜,铁电以及铁磁材料等。
标准性能:
超高真空(本底压强<1E-10 Torr);
多种生长模式的源集成,包括:
RF等离子体
蒸发源
电子束蒸发
臭氧传送系统
先进的原位监控仪(可选)
原子吸收束流监控仪
RHEED
温度以及厚度监控仪
6个可旋转PLD靶
高功率准分子激光器
提供合适的泵抽组合
多种腔室配置以满足您的需求
培训以及服务支持
外延系统laser MBE的工作原理介绍
外延系统laser MBE的使用方法?
laser MBE多少钱一台?
外延系统laser MBE可以检测什么?
外延系统laser MBE使用的注意事项?
laser MBE的说明书有吗?
外延系统laser MBE的操作规程有吗?
外延系统laser MBE报价含票含运吗?
laser MBE有现货吗?
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