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PMGI & LOR负光刻胶使能高产，广泛应用于在处理多种数据存储和无线芯片到MEMS的金属剥离。PMGI & LOR负光刻胶作为双叠层光刻胶，在超出单层防腐可以延长限制剥离处理。这包括非常高的分辨率的金属化（＜0.25μM），以及非常厚（＞4μm）金属化。这些独特的材料可几乎满足任何客户需要。
PMGI & LOR的特性：
1）高分辨，可用于 <0.25 μm Lift-off 工艺
2）undercut 结构可控，溶解速率易于调节
3）在Si，NiFe，GaAs，nP和其它III-V材料上有良好的粘附力
4）与 g-， h-，i-line，DUV，193 nm 和 E-beam 光刻胶等兼容
5）良好的耐热稳定性
6）去胶容易，剥离干净
应用：金属电梯加工，桥制造，释放层
PMGI & LOR的属性
1）覆盖在成像抗蚀剂不会混杂
2）在TMAH双叠层一步发展，或KOH开发
3）高热稳定性：Tg ~190 C
4）快速清除和常规抗剥离干净
5）0.25μm微米双层抗蚀成像
6）产量高，可用于很厚（＞3μm）金属剥离处理
加工环境：
温度：20-25°± 1°C
湿度：35-45% ± 2%
相关溶液：
显影液：101 Developer
去胶剂：Remover PG
稀释液：G Thinner
一般储存温度：
4-27°C
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