拟投资11亿！拓荆科技将扩产高端半导体设备

3月2日，拓荆科技股份有限公司（下文简称“拓荆科技”）发布公告称，公司基于整体战略布局及经营发展的需要，为加快产能规划及产业布局，拟投资建设“高端半导体设备产业化基地建设项目”，本项目由公司和公司拓荆创益共同实施。

信息显示，本项目计划总投资金额约为人民币 110,000.00 万元（最终项目投资总额以实际投入为准），其中以变更用途的募集资金投入人民币 25,000.00 万元，其余项目资金人民币 85,000.00 万元由拓荆科技股份有限公司（以下简称“公司”）及公司全资子公司拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司（以下简称“拓荆创益”）自筹。

拓荆科技拟调减首发募投项目“先进半导体设备的技术研发与改进项目”募集资金承诺投资总额人民币 20,000.00 万元，同时调减超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”的募集资金承诺投资总额人民币 5,000.00 万元，合计人民币 25,000.00 万元用于投入本项目。

在此次变更后，公司首次公开发行募集资金的募投项目情况如下：

拓荆科技预估新项目建设周期为4年，并表示，本项目涉及大额长期资产的投入，在项目投产初期，存在新增折旧摊销费用将导致公司利润下滑的风险，同时，项目实施过程中存在着下游客户扩产或公司客户拓展不达预期、技术迭代等不确定因素，面临无法达到预期效益的风险，敬请投资者注意投资风险。

拓荆科技表示，本项目拟在沈阳市浑南区购置土地建设新的产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等。该产业化基地建成后，将进一步提高公司的产能，以支撑公司 PECVD、SACVD、HDPCVD 等高端半导体设备产品未来的产业化需求，从而推动公司业务规模的持续增长，提升公司整体竞争力和盈利能力。项目拟选址于沈阳市浑南区，项目占地面积约 147 亩，其中公司拟购买土地使用权面积约 42 亩，拓荆创益拟购买土地使用权面积约 105 亩（具体以实际情况为准）。