前言
碳化硅(SiC)是制作半导体器件及材料的理想材料之一,但其在工艺过程中,会不可避免的产生晶格缺陷等问题,而快速退火可以实现金属合金、杂质激活、晶格修复等目的。在近些年飞速发展的化合物半导体、光电子、先进集成电路等细分领域,快速退火发挥着无法取代的作用。
01快速退火在化合物半导体上的应用
碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,具有硬度高、热导率高、热稳定性好等优点,在半导体领域具有广泛的应用前景。
由于碳化硅器件的部分工艺需要在高温下完成,这给器件的制造和封测带来了较大的难度。例如,在掺杂步骤中,传统硅基材料可以用扩散的方式完成掺杂,但由于碳化硅扩散温度远高于硅,所以需要采用高温离子注入的方式。而高能量的离子注入会破坏碳化硅材料原本的晶格结构,因此需要采用快速退火工艺修复离子注入带来的晶格损伤,消除或减轻晶体应力和缺陷,提高结晶质量。
*退火工艺处理前后对比(图源:网络)
02什么是快速退火炉(RTP SYSTEM)
快速退火炉是利用卤素红外灯作为热源,通过极快的升温速率,将材料在极短的时间内从室温加热到300℃-1250℃,从而消除材料内部的一些缺陷,改善产品性能。
*图源:网络
03快速退火炉产品介绍
全自动双腔快速退火炉
RTP-DTS-8是一款全自动双腔快速退火设备,可兼容6-8英寸晶圆Wafer。
产品优势
✅全自动双腔设计,有效提升产能
✅温度可达1250℃,具有超高温场均匀性
✅具备稳定的温度重现性
✅能够满足SIC量产化制程需求
半自动快速退火炉
RTP-SA-12是在保护气氛下的半自动立式快速退火系统,可兼容4-12英寸晶圆Wafer。
产品优势
✅采用红外卤素灯管加热,冷却采用风冷;
✅快速PID温控,可控制温度升温,保证良好的重现性和温度均匀性;
✅采用平行气路进气方式,气体进出口设置在晶圆表面,避免退火过程中冷点产生,保证良好的温度均匀性;
✅大气与真空处理方式均可选择,实现进气前气体净化处理;
✅标配两组工艺气体,可扩展至6组工艺气体。
桌面型快速退火炉
RTP-TABLE-6是一款桌面型快速退火设备,标配三组工艺气体,可兼容6英寸晶圆Wafer。
产品优势
✅红外卤素灯管加热,冷却采用风冷;
✅采用快速PID温控,可控制温度升温,保证良好的重现性和温度均匀性;
✅采用平行气路进气方式,气体进出口设置在晶圆表面,避免退火过程中冷点产生,保证良好的温度均匀性;
✅大气与真空处理方式均可选择,实现进气前气体净化处理。
[来源:东莞市晟鼎精密仪器有限公司]
版权与免责声明:
① 凡本网注明"来源:仪器信息网"的所有作品,版权均属于仪器信息网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。已获本网授权的作品,应在授权范围内使用,并注明"来源:仪器信息网"。违者本网将追究相关法律责任。
② 本网凡注明"来源:xxx(非本网)"的作品,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责,且不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如其他媒体、网站或个人从本网下载使用,必须保留本网注明的"稿件来源",并自负版权等法律责任。
③ 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起两周内与本网联系,否则视为默认仪器信息网有权转载。
谢谢您的赞赏,您的鼓励是我前进的动力~
打赏失败了~
评论成功+4积分
评论成功,积分获取达到限制
投票成功~
投票失败了~