‍‍‍‍KLA Instruments 小课堂定期分享KLA Instruments旗下产品的各种技术资料、应用笔记和使用指南。旗下产品包括：轮廓仪、纳米压痕仪、薄膜测厚仪、方阻测量仪以及晶圆缺陷检测系统。‍‍6月13日‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍KLA Instruments™将亮相一年一度的2024太阳能光伏与智慧能源大会（SNEC）并展出为太阳能行业定制的最新新品 光学轮廓仪Zeta™-Solar2024飞行计划-第二站： 上海 SNEC光伏展览会是全球性的专业光伏展，其展出内容包括：光伏生产设备、材料、光伏电池、光伏应用产品和组件，以及光伏工程及系统、储能、移动能源等，涵盖了光伏产业链的各个环节。SNEC光伏论坛形式也格外丰富多彩，涉及光伏产业未来市场趋势分析、合作发展策略、各国政策导向、行业最前沿技术、光伏金融等，是向业界展示成果的最佳机会。KLA Instruments™将借此次机会展出最新推出的新品光学轮廓仪Zeta™-Solar、Zeta™-20HR，探针式轮廓仪 Tencor® P-7、方阻测试仪Filmetrics® R54等多款重点机型，并由市场总监 Oskar Amster带来关于“KLA轮廓仪在晶硅/薄膜太阳能电池制程中的应用”的精彩演讲，欢迎莅临。展会时间：2024年6月13日-15日展会地点：国家会展中心（上海市青浦区崧泽大道333号）展位号：   3H-F10, F11演讲主题：KLA轮廓仪在晶硅/薄膜太阳能电池制程中的应用演讲嘉宾：Mr. Oskar Amster 演讲时间：2024年6月14日，上午10:00-10:15演讲地点：国家会展中心上海洲际酒店，大宴会厅3Oskar Amster PROFILE  KLA Instruments™ 市场总监Mr. Oskar Amster目前担任KLA公司旗下仪器事业部市场与战略研发总监的职位, 在KLA有10年的光学表征研发工作经历并曾担任过多种管理职务。在加入KLA之前， 他曾在Taylor Hobson公司担任光学轮廓仪产品研发和销售经理，并在PrimeNano公司材料表征部门担任过高级管理职务。他在表面测量和材料表征领域拥有超过25年的工作经验。Mr. Amster 毕业于加州州立理工大学，获得了材料工程硕士学位和物理学学士学位。在此次展会上，KLA将首次展出新品 Zeta™-Solar它是一款为太阳能行业定制的光学轮廓仪，可满足独特的太阳能电池金属化需求，针对先进的太阳能电池工艺金属细栅和主栅测量而设计。这款全新的 Zeta 型号利用3D成像技术的进步简化了成像系统。提供多种XY测量台选项，可满足230mmx 230mm最新一代太阳能电池的测量需求。此外还开发了 Zeta-Solar 软件， 将易于使用的 Profilm 软件与 Zeta 系统开发的成熟金属测量技术无缝结合。>> 全新的太阳能电池检测技术，可用于晶硅太阳能电池生产和研发中的金属栅线测量。>> 太阳能电池金属细栅和主栅高度和宽度测量(全自动化检测和分析 / 多截面分析 / 宽度、高度、高宽比和横截面积的统计分析/ 合格品/不合格品识别分析>> HDR功能，可优化印在超低反射率绒面的栅线测量>> 自动拼接功能，可用于大视场(FOV) 区域测量，如主栅和栅线接触点等>> 高清三维显示功能>> 太阳能电池金属栅线的3D真彩色成像>> 采用230mm x 230 mm 可编程XY 测量台，适用于最新一代太阳能电池产品>> 产品性能：可重复性和再现性欢迎莅临展台，了解更多新品信息，及KLA在光伏制造领域的解决方案。‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍

展会预告2024飞行计划-第三站：广州7月8日-11日，KLA Instruments™将亮相一年一度的2024中国材料大会，并借此次机会展出纳米压痕仪、光学轮廓仪、探针式轮廓仪、电阻测量仪的多款重点机型。期待您的莅临。“中国材料大会”是中国材料研究学会的学术年会，是重要的系列品牌会议之一，是中国新材料界学术水平很高、涉及领域很广、前沿动态很新的超万人学术大会，是面向国家重大需求、推动新材料前沿重大突破的高水平品牌大会。大会涵盖能源材料、环境材料、先进结构材料、功能材料、材料设计制备与评价等5大类主题，距今已成功举办23届。-------------------------------------------------------分割线-----------------------------------------小课堂-本期课程：在低温下对小尺度丁苯橡胶进行纳米压痕的动态力学分析丁苯橡胶 (SBR) 是一种合成橡胶聚合物，旨在取代天然橡胶。SBR因其弹性性能和耐磨特性而广泛应用于轮胎、粘合剂、电池、扬声器和建筑材料中。本次研究，利用KLA高精度纳米压痕仪的DMA功能，在低温条件下对SBR 橡胶的储存模量进行分析。实验方法配备载荷分辨率小于1nN的IF50加载器和 50μm 直径的平压头的 KLA 纳米压痕，对安装在制冷样品台的 SBR 进行DMA测试，样品可冷却到 -60°C以下，整个变温过程由PID控制，加热和冷却同步工作，整个测试中，制冷样品台的外壳始终维持在室温。惰性气体充满样品腔室，以减轻其与大气的化学反应，并防止在样品表面结霜。登陆官网可了解更多详情KLA DMA 测试技术ProbeDMA™ 是一种动态纳米压痕测量技术，用于测量不同频率下的材料的粘弹性。ProbeDMA 可在样品表面的特定区域定量的进行动态特性的测量。此外，相较与传统DMA机台，ProbeDMA 更可精确的测试聚合物涂层和薄膜。ProbeDMA 测试流程如下图所示。ProbeDMA 在所有 KLA 纳米压痕上都可用，且可以与各种平压头配合使用。KLA 可在各个压痕型号上提供从 -60°C 到 800°C 的变温样品台。该控温范围可确保在各种材料上进行变温实验和蠕变实验。结果与总结丁苯橡胶（SBR）的随温度变化和频率变化的储存模量的对数-对数结果如下图。

KLA科磊快速压痕技术对隔热涂层的测试什么是隔热涂层？隔热涂层（TBC）是一种多层多组分材料,如下图所示，应用于各种结构性组件中提供隔热和抗氧化的保护功能1。TBC中不同的微观结构特征，如热喷涂涂层的薄膜边界、孔隙度、涂层间界面、裂纹等，通常会极大地增加测试的难度。图 1. （a）多层、多功能的隔热涂层的示意图《MRS Bulletin》（b）隔热涂层的横截面的扫描电镜图KLA Instruments的测试方法利用KLA发明的 NanoBlitz 3D 压痕技术对TBC 涂层进行测试，每个压痕点测试只需不到一秒，可在微米尺度上对涂层和热循环类的样品的粘结层、表层涂层和粘结层—表面涂层的界面区域等进行各种不同范围的Mapping成像，单张Mapping最多可达100000个压痕点。结果与分析粘结层—表面涂层的界面区域是 TBC研究的重点之一，其微观结构及相应力学性能的变化，会影响到TBC 的热循环寿命。该界面处最重要的考量就是热生长氧化 (TGO) 层的形成，TGO是在高温条件下，粘结层的β-NiAl的内部扩散铝与通过表层涂层渗透的氧发生反应而成，TGO 层可防止粘结层和下面的衬底进一步的氧化，但TGO超过一定的临界厚度，又会导致严重的应变不兼容和应力失配，从而使 TBC 逐渐损坏并最终产生剥离2、3。下图显示了典型的等离子喷涂涂层的变化过程，TGO 的厚度会随着热循环次数的增加而增大。对应的硬度和弹性模量Mapping结果也显示出类似的趋势，同时，从硬度mapping图中也可以观察到粘结层一侧的作为铝源的 β-NiAl 相随热循环次数的增加而逐渐耗尽。图 2. （a，第一列）涂层状态下的 TGO 生长状况的硬度和弹性模量 mapping 图；（b，第二列） 5 次热循环后的 TGO 生长状况的硬度和弹性模量 mapping 图；（c，第三列）10 次热循环后的 TGO 生长状况的硬度和弹性模量 mapping 图；以及（d，第四列）100 次热循环后的 TGO 生长状况的硬度和弹性模量 mapping 图。TGO 生长引起的弹性模量差异会导致失配应力的发展，该失配应力又导致界面之上的表层涂层产生微裂纹，如上图（d，第四列）所示的mapping结果捕捉到了裂纹区域的硬度和弹性模量的降低现象。KLA的“Cluster”算法可以对不同物相的mapping数据反卷积处理并保留它的空间信息，即对相应的力学mapping图进行重构，如下图所示。图(c) 的Cluster的硬度mapping图清晰的展示出三组硬度明显不同的物相：（1）β-NiAl、（2）γ/γ‘-Ni 和（3）内部氧化产生的氧化物。图 3 .五次热循环后粘结层的（a）微结构图，（b）硬度mapping图（c） Cluster 后的结果。总结与结论KLA 的 NanoBlitz 3D 快速mapping技术可适用于隔热涂层的研究：TBC 不同膜层的界面区以及多孔的表面涂层的研究，甚至可以借助mapping技术获得的大量数据来预测 TBC 样品的剩余寿命。如想了解更多产品参数相关内容，欢迎通过仪器信息网和我们取得联系！  400-801-5101

KLA探针式轮廓仪的过去，现在，与未来。KLA Instruments™探针式轮廓仪（也称台阶仪）提供高精度2D和3D表面量测，测量台阶高度、表面粗糙度、翘曲度和应力以及优秀的稳定性和可靠性，满足客户的研发和生产要求。目前，KLA Instruments™ 台阶仪包括专为研发助力的Alpha-Step®系列D-500/D600桌面式台阶仪，工厂生产用Tencor® P-系列P-7，P-17，P-17 OF量产型台阶仪，还有自动化产线上的 HRP®系列P-170和HRP-260全自动台阶仪。自1977年KLA首款商用探针式轮廓仪问世，经过四十多年的不断探索和技术创新，KLA取得了一个又一个突破，不断稳固自身在行业中的领导地位。1977Alpha-Step®100 是Tencor 推出的首款台阶仪产品。其在台阶高度测量的准确性和重复性方面表现优异。凭借价格实惠、外形小巧和功能强大，很快就成为大多数半导体制造厂或晶圆厂重要的工具。1983Alpha-Step 200 发布，扫描速度比竞品快 2 倍，配备 CRT 显示器，能够自动测量、调平和计算。1987Alpha-Step 250 问世，灵敏度增强至 1 Å，增加了隔声外壳。1988Tencor P系列的P-1探针式轮廓仪实现了单次长度 200mm 扫描，且无需任何拼接。P-1 轮廓仪采用革 命性的全新设计，在扫描平台、光学和传感器技术方面进行了行业创新，提供无可匹敌的稳定性、灵敏度和重复性。该系统具有超平面扫描平台，能够单次扫描实现高达 200mm 的高分辨率，确定表面粗糙度、波纹度和薄膜应力特征。新平台也是 3D 扫描平台，增加了第三维度来表现表面形貌。该系统的特色是采用顶视光学系统来提供清晰的样品视图，不受传统倾斜侧视的扭曲影响。此外，该系统的传感器技术采用业界先进的线性可变差分电容器 (LVDC)，从而使电子分辨率达到亚埃级，并且转动惯量小，可实现低作用力控制并降低对噪声的敏感性。1991Tencor P2H 支持自动晶圆和磁盘机械手臂， 减少接触样品带来的污染。同年的Tencor P2 采用开放式框架，支持尺寸达 430mm x 430mm 的样品，同时Tencor FP2可扫描尺寸达 630mm x 630mm 的样品，用于平板行业。1994Tencor P-20 全自动探针式轮廓仪发布，增加了图案识别和 SECS/GEM，并且与现有的机械手臂相结合，实现了全自动化。Alpha-Step 500增加垂直量程至 1mm，并配备了全新高倍率光学器件和彩色摄像头。1996Tencor P-10、 P-11、 P-12 和 P-22 相继发布，产品采用最新的低作用力控制技术，延长垂直量程至1000µm并增强环境隔离功能。Microhead II 增强线性可变差分电容器 (LVDC)，并增加低至 0.05mg的程式控制低作用力。它增加了通过动态调整枢轴上的作用力，确保在任何台阶高度下，样品表面都能够施加相同的力。此外，新传感器可支持高达 1000µm 台阶高度。P-12 新增隔声罩和主动隔离台，不仅增强对环境噪声的隔离，还能够测量超光滑硬盘的粗糙度。P-22 在现有 P-20 机械手臂的基础上新增一个隔离台，实现自动晶圆传送、图案识别和 SECS/GEM 等全自动测量，从而为半导体行业提供整体解决方案， 提高其生产效率。1997Tencor P-30 将开放式晶圆盒机械臂替换为 SMIF 机械臂和系统的内置微环境， 以支持半导体行业新的洁净度要求。HRP-220 是在线表面量测的一大突破，配备了 P-22 的长扫描平台以及高分辨率压电平台，DuraSharp® 探针可实现精细的特征测量和分析。同年，Tencor Instruments 和 KLA Instruments 两家公司合并成立了 KLA-Tencor, Inc.，成为世界领先的半导体制造和相关行业的良率管理及工艺控制解决方案供应商之一。1998HRP-320 在HRP-220 的测量能力基础上扩展到 300mm 晶圆，是能够单次扫描测量 300mm 晶圆全直径的系统。1999HRP-240 和 HRP-340 在使用的便利性、产出和精度上有了重大改进。新增压电挠性平台设计，以尽量减少平面外的运动，扫描平面度 >2x 在保持 90µm x 90µm 扫描区域和 1nm 分辨率的同时，比以前的设计有了很大的进步。该系统增加在线高倍和低倍光学器件，并利用距离传感器实现无接触自动聚焦，从而可允许快速、精确对焦，并通过减少探针的表面接触次数来延长其使用寿命。长扫描平台通过增加线性编码器来提高样品定位的准确性，而更细螺距的丝杠可实现更高的分辨率。通过增加数字信号处理器来管理所有平台控制，将计算机处理能力留给用户接口，从而改善系统的整体性能。新增浸渍模式（Dipping Mode™ ）能够测量高深宽比的蚀刻深度特征。2001Tencor P-15 结合了 P-10 和 P-11 系统的功能，技术更加成熟，为单一平台上的研发和生产提供支持。2003Alpha-Step IQ 在 Alpha-Step 500 基础上新增 USB 电子器件和全新设计的软件，可以显著提供增强的扫描排序和数据分析能力。2007Tencor P-16+ 在-15 的基础上进行了改进：新的 USB 电子器件、更强大的软件以及 Apex 高级数据分析和报告撰写软件功能。2008Tencor P-6 是一台高性能探针式轮廓仪，在较小的平台上沿用了 P-16+ LVDC 传感器技术和扫描平台技术。HRP-250 和 HRP-350 仪器采用噪音更低的 LVDC 传感器技术、新的隔离系统（仅 HRP-350）和第二代 DuraSharp II 探针。可实现更小特征的测量和接近 2 倍的吞吐量。2009Ambios Technology 加入KLA-Tencor并发布 XP100 和 XP200，采用光学杠杆传感器技术，垂直量程1200µm 并支持200mm晶圆样品。2010KLA-Tencor 发布了基于 Ambios Technology 平台的 Alpha-Step D-100 和 D-120，采用增强光学杠杆传感器技术， 显著改善了测量的稳定性。2013Tencor P-7 和 P-17 配备了新高分辨率彩色相机，并增强了对翘曲度和应力的测量。2014Alpha-Step D-500 和 D-600 仪器采用了与 P系列相同的高分辨率相机。增加了侧视图的梯形校正功能，并且进一步改善了测量的重复性。2016Tencor P-170结合了 P-17 与 HRP 机械手臂，是一款新的全自动探针式轮廓仪。同年，HRP系列的新机型HRP-260 也随后发布。新仪器在自动化晶圆处理方面有了重大的改进。增加了几何图案识别，提高了倾斜校正算法的准确性，并采用新方法进行自动灯光控制。机械手臂包含新电子器件，可支持碳化硅 (SiC) 和蓝宝石等透明样品以及硅、砷化镓 (GaAs) 和 AlTiC 等不透明样品的预对准。也支持卡盒内wafer探测和读取wafer ID.2019KLA Instruments™ 全系列探针式轮廓仪Alpha-Step®、Tencor® P- 和 HRP®，移植软件平台至最新的Windows 10 OS。同时，新的测量和数据分析功能发布在新的软件平台中。2023KLA将继续探索的脚步，而探针式轮廓仪全线产品也将持续发展，为满足客户的需求不断努力创新。Keep Looking Ahead！

‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍薄膜方块电阻和厚度测量‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍—KLA45年电阻测量技术创新的桌面型解决方案‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍在半导体芯片等器件工艺中，后道制程中的金属连接是经过金属薄膜沉积，图形化和蚀刻工艺，最后在器件元件之间得到导电连接。对于半导体、PCB、平板显示器、太阳能应用和研发等不同行业，对各种金属层（包括导电薄膜、粘附层和其他导电层）都有各种各样的电阻和厚度的量测需求，KLA Instruments™ Filmetrics® 事业部能够提供先进的薄膜电阻测量解决方案。金属薄膜的电阻测量主要包括两种技术：四探针法和涡流法。两种测量技术各有其优势，适用于不同的应用场景。我们先来了解一下这两种技术的测量原理。问什么是四探针测量技术？ 四探针测量技术已经存在了 100 多年，由于其操作简单以及固有的准确性，一直备受青睐。如下图所示，四探针与导电表面接触，电流在两个引脚之间流过，同时测量另外两个引脚之间的电压。标准的（左）和备用的（右）四探针测量原理图。R50具有双配置测量方法，通常用于薄膜边缘出现电流集聚或引脚间距变化需要校正的情况。引脚的排列方式通常是线性排列或方形排列，此处主要讨论 R50 探针使用的线性排列。对于大多数应用而言，使用的是标准测量配置 （上图左）。而备用测量配置（上图右）可作为 R50 双配置测量方法的一部分，用于薄膜边缘电流集聚或需要校正引脚间距变化的情况。此处展示的测量结果仅使用了标准测量配置。问什么是涡流测量技术？ 涡流 (EC) 技术是指线圈中的交变电流会在导电层中产生交变涡流。这些交变涡流反过来会产生一个磁场，从而改变驱动线圈的阻抗，这与该层的方块电阻成正比。涡流技术通过施加交变磁场，测量导电层中感应的涡流。线圈中的交变驱动电流会在线圈周围产生交变初级磁场。当探测线圈接近导电表面时，导电材料中会感应出交变电流 （涡流）。这些涡流会产生自己的交变次级磁场并和线圈耦合， 从而产生与样品的方块电阻成正比的信号变化。导电层越导电，涡流的感应越强，驱动线圈的阻抗变化就越大。 ‍‍‍‍自1975年KLA的第一台电阻测试仪问世以来，我们的电阻测试产品已经革 命性地改变了导电薄膜电阻和厚度的测量方式。而R50方块电阻测试仪则是KLA超过45年电阻测量技术发展的创新之作。R50提供了10个数量级电阻跨度范围使用的4PP四探针测试技术，以及高分辨率和高灵敏度的EC涡流技术，续写了KLA在产品创新能力和行业先锋地位的历史。‍‍‍‍R50 方块电阻测量数据分析和可视化 无论是四探针法还是涡流法，方块电阻 (Rs) 测量完成后， 用户根据自己需求，可以直接导出方块电阻值，也可以使用 RsMapper 软件中的转换功能，将数据直接转换为薄膜厚度：Rs = ρ/t其中 ρ 是电阻率，t 是薄膜厚度。上图显示了 2μm 标准厚度铝膜的方块电阻分布图和薄膜厚度分布图。根据方块电阻数据（左），利用标准电阻率（中），将数据转换为薄膜厚度分布图（右）。在某些应用中，将数据显示为薄膜厚度分布图可能更有助于观测样品的均匀性。RsMapper 软件还提供差异分布图，即利用两个特定晶圆的测绘数据绘制成单张分布图来显示两者之间的差异。此功能可以用来评估蚀刻或抛光工艺前后的方块电阻变化。问如何选择适当的测量技术？R50 分成2个型号：R50-4PP 是接触式四探针测量系统 ；R50-EC是非接触式涡流测量系统。R50-4PP能测量的最大方块电阻为 200MΩ/sq.，因而非常适合比较薄的金属薄膜。对于非常厚的金属薄膜，电压差值变得非常小，这会限制四探针技术的测量。它只能测量厚度小于几个微米的金属膜，具体还要取决于金属的电阻率。由于非常薄的金属薄膜产生的涡流很小，加上R50-EC 的探头尺寸非常小，所以使用涡流方法测量方块电阻时，金属厚度最薄的极限大约在 100 nm （或约10 Ω/sq.，与金属材料性质有关）。对于非常厚的金属薄膜，涡流信号会增加，因此对可测量的金属薄膜的最大厚度实际上没有限制。在四探针和涡流技术都可使用的情况下，一个决定因素就是避免因引脚接触样品而造成损伤或污染。对于这类样品，建议使用涡流技术。对于可能会产生额外涡流信号的衬底样品，并且在底部有绝缘层的情况下，则建议使用四探针技术。简而言之，Filmetrics R50 系列可以测量大量金属层。对于较薄的薄膜，它们的电阻较大而四探针的测量范围较大，因而推荐使用 R50-4PP（四探针）。对于非常厚的薄膜，或者需要非接触式测量的柔软或易损伤薄膜，推荐使用 R50-EC（涡流技术）。‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍

KLA Instruments拥有如今的光学轮廓仪组合，是早先各品牌合力创新的结果：1.ADE 发布了 MicroXAM 白光干涉仪。2.Zeta™ Instruments 开发了 ZDot™和多模式光学轮廓仪。3.KLA旗下Filmetrics®推出了新型、通用的白光干涉仪。KLA Instruments 品牌下多样化的光学轮廓仪产品都拥有各自悠久的创新历史。1999ADE Phase Shift 推出了 MicroXAM 光学轮廓仪，具有埃米级灵敏度，可用于超光滑表面的相移干涉测量，以及更大台阶高度样品的垂直扫描干涉测量。2006KLA 收购了 ADE 公司，为 KLA 的桌面式量测组合增加了 MicroXAM-100 光学轮廓仪，并推出了面向半导体市场的衬底几何形貌和缺陷检测解决方案。2010Zeta-20 是 Zeta Instruments 推出的第一款产品。Zeta-20 是使用 ZDot™专利技术的光学轮廓仪，它结合了结构照明、共聚焦光学以生成高分辨率的3D表面形貌数据和表面真彩图像。该技术使用户能够轻松地聚焦在任何透明或不透明的表面上，从而实现对台阶高度和粗糙度的快速测量。多模组光学系统将 ZDot 技术与白光干涉仪、剪切干涉仪、透明薄膜反射光谱仪和自动缺陷检测功能相结合，扩展了非接触式3D 光学轮廓仪的应用场景。同年，Zeta-200 发布，带有自动化载台，并推出了发光二极管 (LED) 应用的解决方案。Zeta-200 光学轮廓仪利用高透射光学设计、背光源照明技术和专有算法来测量图形化的蓝宝石衬底 (PSS)。 该系统可以适应各种形状的 PSS 凸起，测量视场中所有 PSS 凸起的高度和间距，从而避免仅测量一小部分区域而产生错误的凸起信号或导致的结果偏差。通过多模式光学系统，还可以测量在 PSS 制造过程中薄膜厚度的变化以及样品的翘曲度。最后，通过自动缺陷检测功能，Zeta-200 可以识别不同缺陷的种类，如剥落的凸块、划痕和颗粒。2011Zeta-280 在 Zeta-200 平台的基础上增加了一个适配单个晶圆盒的桌面式机械手臂。Zeta-300 光学轮廓仪支持测量最大8寸的器件。该系统采用一体化主动或被动隔振平台，并搭配隔声罩隔离环境中的噪声。2012Zeta-20 采用 ZDot技术，为封装微流体器件等透明多表面应用场景提供了一种创新的测量解决方案。微流体器件的封装工艺通常会改变通道的尺寸和外形，从而影响器件的性能。因此，封装后的测量对客户的产品控制至关重要。Zeta-20高透射率的光学设计使得ZDot 信号在经过多膜层透射后仍能保持足够强度，从而可以实现对微流体器件玻璃盖板封装前后关键尺寸参数的测量，例如盖板的厚度、微流体通道的深度和尺寸。同年，将 Zeta-280的桌面式机械手臂与 Zeta-300 平台相结合，推出了Zeta-380自动化测量设备。2014MicroXAM-800 集成了Ambios 和 ADE 相移干涉测量技术的最佳硬件和算法，并搭配创新且易用的软件，用于台阶高度和粗糙度的自动测量。2015基于Zeta-20推出太阳能行业创新解决方案，用于绒面和丝网印刷的工艺控制。太阳能光伏的成本控制和提升转化率，推动着晶硅光伏的技术迭代。金字塔绒面的规格和表面栅线印刷的质量，对晶硅光伏的转化效率产生重要影响，因此成为产品控制的关键环节。绒面工艺控制对于控制绒面金字塔结构的高度、外形和尺寸分布至关重要，因为这会影响太阳能电池的光捕获效率。Zeta-20提供了专为绒面金字塔测量的解决方案，可实现金字塔结构的自动探测和统计。金属栅线采用丝网印刷工艺，该工艺会带来金属栅线的宽度、高度、体积、电学特性等方面的变化，从而增加器件的制造成本。Zeta-20的高动态范围测量模式（HDR）为金属栅线工艺提供了测量解决方案，可实现对反射率差异较大的材料测量。在太阳能电池制造工艺过程中，HDR模式被用于测量镀有减反膜涂层绒面表面的金属栅线3D形貌。同年，推出了Zeta-360 和第一代 Zeta-388 产品，提供了基于Zeta平台的晶圆自动化处理解决方案。  2016Profilm3D 是一款基于白光干涉原理的光学轮廓仪，可以适用于多种应用场景，包括薄膜厚度、表面粗糙度、台阶高度等表面形貌测量，是一种高性价比的三维表面形貌测量解决方案。2017Zeta Instruments 加入KLA Instruments 集团，为KLA光学轮廓仪引入 ZDot 技术和多模式测量技术，扩充KLA光学轮廓仪的产品线。Zeta系列用于3D表面形貌测量，支持研发、生产和全自动化环境。2018KLA旗下Filmetrics 推出了世界上首个专门用于3D形貌数据处理的网络应用程序ProfilmOnline® ，利用网络浏览器和强大的智能手机功能，使用户无需电脑即可分析、存储和共享3D数据，包括光学轮廓仪、扫描探针显微镜（如原子力显微镜）和其他三维成像显微镜等获取的三维形貌数据。用户可以便捷地从 Filmetrics Profilm3D 光学轮廓仪上传数据，对其进行分析，并与同事共享测量结果。ProfilmOnline®允许用户通过跨平台的任意设备，随时随地访问数据。Profilm3D 增加了 TotalFocus™功能，提供其样品表面的3D自然彩色图像。新一代Zeta-388光学轮廓仪是非接触式三维表面形貌测量系统。该系统在Zeta-300的基础上，更新了用于全自动测量的机械手臂操作系统。Zeta-388支持OCR和SECS/GEM，从而可用于全自动产线的生产制造。该系统提供了具有生产价值的工艺控制测量，如PSS上的凸块高度、粗糙度和台阶高度。Zeta-388凭借在图形化蓝宝石衬底 (PSS)工艺中的应用荣获2018年化合物半导体行业量测奖。2019Filmetrics 正式加入 KLA Instruments 集团。在薄膜厚度、材料光学特性（n、k 值）的测量方面，Filmetrics 系列薄膜测量仪扩充 KLA 桌面式量测产品线。Filmetrics Profilm3D 光学轮廓仪扩充 KLA光学轮廓仪产品线，为客户提供高性价比的表面形貌测量解决方案。2020Profilm3D-200 具有一个行程为 200mm的自动样品台，可放置200mm直径的晶圆样品。2023KLA Instruments 推出Zeta-20HR高分辨率光学轮廓仪，专为满足新型太阳能电池的结构表征和下一代生产工艺的量测需求而设计。Zeta-20HR提高了光学轮廓仪的分辨率，将对太阳能电池结构的表征能力拓展至1µm以下。这款新型的Zeta光学轮廓仪，基于具有ZDot技术的Zeta-20设计，可配置230mm x 230mm尺寸的样品载台，并具备所有标准化且易用的多模组测量能力。Zeta光学轮廓仪是太阳能电池工艺研发和制程控制的理想量测工具。如需申请测样或产品咨询,可通过仪器信息网和我们取得联系！

2024一开年，科学仪器行业便迎面而来一大新政策。3月13日国务院印发《推动大规模设备更新和消费品以旧换新行动方案》。其中明确了"推动符合条件的高校、职业院校(含技工院校)更新置换先进教学及科研技术设备，提升教学科研水平。”KLA Instruments™作为仪器行业的优质提供商，我们将积极响应国家政策，助力设备更新与以旧换新行动，为行业专家、学术界和其他创新者提供值得信赖的量测技术，助力中国乃至世界实现科学技术上的突破性发展。探针式轮廓仪KLA Instruments™Alpha-Step®，Tencor®P系列和HRP®系列探针式台阶仪提供高精度的2D和3D表面形貌量测，可为您的研发和生产提供台阶高度、表面粗糙度、弯曲度和应力等测量，具有良好的稳定性和可靠性。光学轮廓仪我们丰富的光学轮廓仪系列产品涵盖多种光学测量技术，包含白光干涉技术，真彩色成像和ZDot™点阵专利技术，我们可以帮助您找到满足您测量需求的正确解决方案。Profilm3D®和Zeta光学轮廓仪可为样品表面测量提供快速，便捷的非接触式3D表面形貌测量解决方案。纳米压痕仪KLA Instruments™的纳米压痕仪可对硬度、杨氏模量和其它力学性能进行精确测量。从发布市场上第一款纳米压痕仪，到将纳米压痕技术扩展到快速、高温和高应变速率测试中，我们一直在开发新的静态与动态测量方案，推动下一代纳米力学测试仪的发展。薄膜厚度仪我们就可以通过分析薄膜的反射光谱来测量薄膜的厚度，通过非可见光的测量，我们可以测量薄至1纳米或厚至3毫米的薄膜。测量结果可在几秒钟显示：薄膜厚度、颜色、折射率甚至是表面粗糙度。方块电阻测试仪KLA方块电阻测试仪能够满足各种测量需求，包括：金属薄膜及背面工艺层厚度测量，衬底电阻率，方块电阻，薄膜厚度或电阻率，薄层和体材料的导电率，等等。对于较薄的金属和离子注入层，建议采用接触式四探针(4PP)测量方法，对于较厚的金属层和柔性或软性的导电表面，建议采用非接触式涡流(EC)测量方法。Candela缺陷检测系统Candela®系统对化合物半导体衬底（GaN，GaAs，InP，蓝宝石，SiC等）和硬盘驱动器上的各种关键缺陷进行检测和分类，保证生产过程中检测的高灵敏度和高效率。