全自动单 /双面接近式曝光机,兼容方形片光刻 4-8寸晶圆单、双面曝光机 尺寸可定制
主要应用:MEMS制造、CMOS图像传感器、存储器、声波器件、微流体芯片、化合物半导体、 晶圆级先进封装、(TSV)等领域。
技术参数:
1.工作方式:装载机械手将晶圆片从 A 晶圆盒自动装载至预定位工作台,经过定位传感器及自动旋转系统的调节,实现工件的预定位;装载机械手再将完成预定位后的晶圆片装载至对准工作台,经过计算机图像识别及自动对准系统的调节,实
现掩模版上图形与晶圆片上的图形的自动对准,也可以不用对位图形完成一次曝光,经过曝光系统的自动曝光后,再由卸载机械手将晶圆片自动放入 B 晶圆盒,直至整个晶圆盒内的晶圆全部完成套刻曝光。
2.曝光面积:210×210mm; 支持晶圆6-8寸
3.曝光照度不均匀性:≤3%;
4.曝光强度:0~≥50mw/cm2可调;
5.紫外光束角:≤3°(可选 2?或 1°相对曝光照度会变弱);
6.紫外光中心波长:365nm;(可选汞灯全波段)
7.紫外光源寿命:≥2 万小时;
8.分离量:0~≥1090um 可调;
9.对准精度:≤1μm;
10.曝光方式:硬接触、软接触和接近式曝光;
11. 曝光模式:可选择一次曝光或套刻曝光
12. 定位传感器及自动旋转系统(含预订位工作台):旋转角度 Q≥±180°旋
转精度 Q≤0.001°;
13.图像识别及自动对准系统(含对准工作台):对准范围 X.Y≥±5mm,升旋
转角度 Q≥±3°,显微镜整体横向相对移动≥±70mm。
14.掩模版尺寸: 可定制
15.晶圆尺寸: 6、8
16.A.B 晶圆盒移动:Z≥±100mm;
17.装卸载机械手:X≥±100mm,Y≥±100mm,Z≥±20mm;
18.晶圆盒晶圆片数量:根据客户晶圆盒晶圆数量定;
19.版架台移动:X.Y≥±3mm,Z≥±2mm;
20.曝光定时:0~999.9 秒可调;
21. 生产节拍:10 秒+曝光时间;
22.电源:单相 AC220V 50HZ ,功耗≤1KW;
23.洁净空气压力:≥0.4MPa;
24.真空度:-0.07MPa~-0.09MPa;25.尺寸:1200*1000*1500mm ;
26.重量:约 200kg