GB/T 4937.17-2018-半导体器件机械和气候试验方法第17部分：中子辐照

2023-09-01 09:01

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资料摘要：

1 范围 GB/T4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用，是一种破坏性试验。试验目的如下： a)检测和测量半导体器件关健参数的退化与中子注量的关系； b)确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内 (见第4章)。 2试验设备 2.1 测试仪器辐射试验中采用的测试仪器应是能测量所要求电参数的标准实验室电子测试仪器，如电源、数字电压表和皮安培计等。

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