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基础能力
*大输出能力:电压1200V电流200A
*小时间测量值:0.1ns
Windows系统的控制计算机
LabVIEW软件界面
物理规格
单机尺寸:800×800×1800mm
质量:165kg
系统功耗:200w
ST-AC1200_S_R开关时间(阻性)测试单元美军标750方法为3472
脉宽:0.1us~100us步进0.1µs
栅极电压:0~20V,分辨率0.1V
栅极电流*大10A
漏极电流*大75A(支持扩展200A、500A)
占空比小于0.1%
VDD/漏极电压 5V~100 V分辨率0.1V
100V~1200V分辨率1.0VST-AC1200_D反向恢复特性测试单元美军标750方法3473
IF/正向电流:0.1~50A@0.1A分辨率
50~200A@0.5A分辨率
di/dt/反向电流斜率:25-600A/uS 1.0A/nsSteps
VR/反向电压:20~1200V
IRM/反向电流:总正向和反向*大电流200A以内。
占空比:<1.0%
TRR/反向恢复时间范围:1ns~2us
VDD/漏极电压:5V~100 V,0.1V Steps
100V~1200V,1.0V Steps
Qrr/反向恢复电荷:0.1nC~100uC
ST-AC1200_Q栅电荷测试单元美军标750,方法3471
栅极电流:0~10mA@10uA分辨率
栅级电压:0~20V@0.1V分辨率
漏极电压:5V~100 V,0.1V Steps
100V~1200 V,1.0VStepsST-AC1200_S_L开关时间(感性)测试单元美军标750,方法3477
漏极电流:1.0~50A@0.2A分辨率
电感:0.1mH至159.9mH
栅极电压:0~20V@0.1V分辨率
漏极电压:5V~100V,0.1V Steps
,1.0V Steps
ST-AC1200_S短路特性测试单元美军标750,方法3479
*大电流:标配200A(选配1000A)
脉宽:1us~100us
漏极电压5V~100V,0.1V Steps
100V~1200 V,1.0VStepsST-AC1200_RC栅电阻结电容测试单元JEDEC StdJESD24-11
Rg/栅电阻:0.1~100Ω
结电容参数:Ciss,Coss,Crss
漏极偏置电压:1200V*大
栅极偏置电压:0~20V@0.1V分辨率
频率:标配0.1MHZ~1MHZ
电网环境
AC220V±10%,50Hz±1Hz。
企业名称
西安智盈电气科技有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
91610116MA6WT08J18
成立日期
2019-05-16
注册资本
1000
经营范围
电力电子设备,半导体, IGBT ,可控硅,检测设备,软件开发,咨询
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