碳化硅衬底片工厂 6英寸SiC碳化硅衬底晶片厂商价格

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苏州恒迈瑞材料科技主要生产供应4英寸、6英寸4H N型导电碳化硅衬底片和4H半绝缘碳化硅衬底片，所生产的碳化硅衬底片产品可广泛应用于以新能源汽车、高速轨道交通、超高压智能电网为代表的功率电子应用领域和以5G通信、航空航天通信、军工相控阵雷达等为代表的高频射频应用领域。

碳化硅功率二极管有3种类型：肖特基二极管（SBD），PIN二极管和结势垒控制肖特基二极管（JBS）。由于存在肖特基势垒，SBD具有较低的结势垒高度，因此SBD具有低正向电压的优势。碳化硅SBD的出现将SBD的应用范围从250V提高到1200V。同时，其高温特性好，从室温到由管壳限定的175℃，反向漏电流几乎没有增加。在3kV以上的整流器应用领域，碳化硅PiN和碳化硅JBS二极管由于比硅整流器具有更高的击穿电压、更快的开关速度以及更小的体积和更轻的重量而备受关注。

碳化硅功率MOSFET器件具有理想的栅极电阻、高速的开关性能、低导通电阻和高稳定性。在300V以下的功率器件领域是首选的器件。有报道称已成功研制出阻断电压10kV的碳化硅MOSFET。研究人员认为，碳化硅MOSFET在3kV～5kV领域将占据优势地位。