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50~500us的脉冲宽度连续可调;
15us的超快上升沿;
同步测量电压;
单台最大可达1000A输出;
可极性反转;
0.1%测试精度;
技术指标
项目
参数
电流脉宽
50μs~500μs
脉冲电流上升沿时间
典型时间15μs
输出脉冲电流
5A~1000A量程,精度0.1%FS±1A
输出负载电压要求
<12V@1000A
DUT电压测量
2独立通道
远端测量,峰值电压测量(取样点可配置)
0~0.3V量程,精度0.1%±0.3mV
0~3V量程,精度0.1%±3mV
0~18V量程,精度0.1%±8mV
电流脉冲输出间隔时间
1秒
电流脉冲峰值功率
<12kW
多设备并联
支持多设备并联输出超大电流,如3000A
输出极性反转
支持
触发信号
支持trig in及trig out
通讯接口
RS232、LAN
输入电压
90~264VAC、50/60Hz
输入功率
<750W
尺寸
长516 x宽220 x高160mm
应用领域
肖特基二极管
整流桥堆
IGBT器件
IGBT半桥模块
IPM模块
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣,欢迎随时联系我们!
企业名称
武汉普赛斯仪表有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
91420100MA49D23AX7
成立日期
2019-11-28
注册资本
1000
经营范围
仪器仪表、电子产品的研发、生产、销售;电子技术服务
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