徕卡DM8000M,DM12000M 半导体尺寸外观检测方案
检测项目
显微镜观察方法下的半导体尺寸外观检测方案
徕卡DM8000M半导体尺寸外观检测方案显微镜解决方案在半导体制造业的高效可靠检测、质量控制 (QC)、故障分析 (FA) 和研发 (R&D) 中发挥着重要作用。
DM12000M在半导体制造过程中,不同步骤可能会出现多种类型的缺陷,从而影响设备的正常运行。这些缺陷越早发现越好。这些缺陷可能是由于随机分布在晶片上的灰尘颗粒(随机缺陷),也可能是由于加工条件(例如在刻蚀过程中)造成的涂层和光刻胶的划痕、脱落和残留,并且会出现在晶片的特定区域。由于其尺寸较小,显微镜是识别此类缺陷的首选工具。
尤其是光学显微镜(OM)与电子显微镜(EM)等速度较慢、成本较高的显微镜相比,具有许多优势。由于光学显微镜的多功能性和易用性,它通常用于定性和定量研究裸晶圆和刻蚀/加工晶圆上的缺陷,也用于集成电路(IC)的组装和封装过程。
不同的光学显微观察方法,如明场 (BF)、暗场 (DF)、微分干涉对比 (DIC)、偏光 (POL)、紫外 (UV)、斜照明和红外线 (IR) 透射光 [1-4] 对于在晶圆和集成电路芯片检测过程中快速、准确地检测缺陷至关重要