类型 | 型号 | 光源 | 胶厚 | 适用范围 |
微流控胶 | SU-8 2000系列 | Near UV(350-400nm),推荐i-Line,也可用于E-beam,X-ray | 0.5-650um | 高深宽比,垂直性好,耐高温,光学透明,适用于MEMS工艺,钝化层,微流控以及光电子器件 |
SU-8 3000系列 | 5-100um | 高深宽比,垂直性好,耐高温,光学透明,较2000系列具有更好的基底粘附性,更不易在工艺过程中产生内应力积累,适用于MEMS工艺,微流控,光电器件制作以及作为芯片绝缘、保护层使用 |
HTG910 | -Line | 95-168um | 厚胶,适用于电镀 |
KMPR | Near UV(350-400nm),推荐i-Line,也可用于E-beam,X-ray | 5-115um | 高分辨率,垂直性好,显影适用TMAH&KOH,易去胶,耐干法刻蚀 |
SU-8干膜 | -Line | 5-1000um | 多种厚度选择,深宽比>5,粗糙度小,耐腐蚀 |
电子束胶 | SML系列(耐刻蚀) | E-beam | 50-5000nm | EM RESIST,5nm线宽,高分辨率,高深宽比,垂直性好,耐刻蚀,与基底粘附性好 |
PMMA国产 | E-beam | 40-7um | 高分辨率,涵盖40k-1000k多种分子量,适用于掩模版制作,金属剥离lift-off和电镀掩模等工艺 |
PMMA/MMA(进口) | E-beam,X-ray&deepUV imaging | 50-5000nm | MicroChem,950K,495K两种分子量,线宽<0.1um,与基底粘附性好,适用于电子束光刻,多层T-Gate剥离,晶圆减薄等 |
PMMA(进口) | E-beam | 30-2000nm | 高分辨率电子束胶,具有35K,120K,350K,495K,950K等多种分子量,适用于各种电子束光刻 |
SU-8GM1010 | E-beam,X-ray | 500-700nm | 可用于做高宽比较大的纳米结构 |
HSQ | E-beam,X-ray | 30-950nm | 高分辨率,耐刻蚀,垂直性好,最常用的电子束负胶 |
Lift-off胶 | ROL-7133 | g/h/i-Line | 2.2-4um | 负性光刻胶,倒角75~80°,粘附性好,使用普通正胶显影液,适用于制作金属电极或导线 |
LOR/PMGI-SF | 与g/h/i-Line,DUV,193nm,E-beam光刻胶兼容 | 50nm-6um | 高分辨率,可用于<0.25um Lift-off工艺,粘附性好,良好的耐热稳定性,易去胶,作为双层胶的底层胶使用 |
HTIN160 | -Line | 1.2-2um | 高分辨率负胶,400nm线宽,高对比度、高宽容度、易去胶,应用于负胶光刻、ift-off工艺,制作电极,导线等. |
NLOF | i-Line | 1.8-12um | 感光性好,高分辨率,耐高温,适用于lift-off工艺 |
NR系列 | i-Line或g/h-Line | 0.5-20um | Futurrex,粘附性好,耐高温,适用于MEMS、封装、生物芯片等工艺 |
DUV光刻胶 | HTKN601系列 | 248nm | 0.4-1.2um | 高分辨率负胶,300nm线宽,适用于半导体的光刻工艺和金属剥离工艺 |
RD1000 | 248nm | 150-300nm | 分辨率高,130nm线宽,国产深紫外光刻胶,已经在量产单位规模使用 |
正胶 | HTI751 | -Line | 0.8-1.2um | 国产高分辨率正胶,0.35um线宽,高分辨率、低驻波效应、垂直度好,应用于MEMS、IC工艺 |
RDP-8003(55cp) | i-Line,Broadband | 2.3-3.5um | 国产正胶,高分辨率,工艺宽容性高,应用于MEMS、IC、LED |
SPR955系列 | -Line | 0.7-3.5um | 分辨率高,0.35um线宽,广泛使用的高分辨率正胶 |
S18xx系列 | g-Line | 0.4-2.7um | 高分辨率正胶,0.5um线宽,粘附性好,最常用的薄光刻胶,稳定可靠 |
SPR220系列 | -Line | 1-10um | 粘附性好,耐干法/湿法刻蚀,适用于选择性电镀,深硅刻蚀等工艺 |
负胶 | SU-8 GM10xx系列 | g/h/i-Line | 0.1-200um | 高深宽比,透明度高,垂直性好,适用干微细加工的机械结构(MEMS)和其他的微型系统 |
SU-8Microchem系列 | Near UV(350-400nm)推荐i-Line,也可用于E-beam,X-ray | 0.5-650um | 高深宽比,垂直性好,耐高温,光学透明,适用于MEMS工艺,钝化层,微流控以及光电子器件 |
HTG910 | -Line | 60-140um | 适用于选择性电镀 |
NR26-25000P | -Line | 20-120um | 分辨率高,粘附性好,显影时间短,相对容易去胶 |
临时键合胶 | 激光响应LB210+临时键合TB4130 | 激光响应波长308nm,355nm | 0.2-0.6um/10-40um | 激光拆键合,适用于器件晶圆减薄、背面工艺及室温无应力分离等工艺 |
TB1202/1236 |
| 1-50um | 热滑移拆键合,适用于器件晶圆减薄拿持及其背面工艺等 |
键合胶 | PermiNex 1000 | i-Line | 1-32 um | 光敏负性,工作温度:<200℃,与硅和玻璃粘附性很好 |
PermiNex 2000 | i-Line | 1-32 um | 光敏负性工作温度:<200℃、与硅和玻璃粘附性很好兼容水性显影液 |