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Infrared 锑化铟探测器通过使用单晶材料台面技术形成p-n结。这个过程产生最高质量的光电二极管而显示出在1μm至5.5μm波长范围内优良的电光性能。这些二极管是背景限制（BLIP）的探测器，其性能可以通过空间来增强（冷却FOV stops）或频谱（冷却干扰滤波器）背景的减少。
光伏效应是当适当波长的辐射入射到p-n结上时，p-n结上产生的电势。当光子通量照射结时，如果光子能量超过禁带能量，就会形成电子-空穴对。
电场将电子从p区扫向n区，空穴从n区扫向p区。该过程使p区为正，n区为负，并在外部电路中产生电流。InSb探测器的等效电路如下所示。这包括一个信号和噪声电流发生器，与一个电阻和电容项并联。
当背景辐射通过在有源元件中产生恒定输出而改变工作曲线时，探测器应反向偏置，使其回到最佳工作点：零电压。
这可以通过使用匹配的前置放大器（如我们的IAP-1000IS）来实现。探测器前置放大器系统在探测器噪声限制模式下工作。需要双输出电源。
热成像
热追踪制导
辐射计
光谱仪
FTIR
Infrared 锑化铟探测器主要型号：
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