核心参数
产地类别: 国产
探测器类型: 高分辨CMOS半导体芯片
扫描方式: 只旋转(RO)方式
精度: 纳米级
射线能量: 240KV
穿透能力: 最高可达50mm(等效铝厚度)
空间分辨率: 500nm
密度分辨率: 0.2-0.5%
检测范围: 450mm×350mm
尺寸测量精度: 500nm
密度测量精度: 最高可达0.2%
样品承重: 15kg
设备尺寸: 2460mm×1250mm×1950mm
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