PLASSYS微波等离子体化学气相沉积系统MPCVD

微波等离子体化学气相沉积系统-MPCVD（科研/小批量生产型 ）

MPCVD, MWCVD, MPACVD, MPECVD, CVD金刚石、微波等离子体化学气相沉积系统

CVD金刚石合成设备、纳米晶金刚石、单晶金刚石、single crystal diamond、SCD、

Microwave Plasma Assited/Enhanced Chemical Vapor Deposition System

型号：SSDR150， 产地：欧洲

腔体：铝合金腔体，内含石英管反应室；可以长时间满功率运行。

微波发生源：频率为2.45GHz、功率为6KW，LCD数显微波入射和反射功率。

4条气路：分别为氢气、甲烷、氧气、氮气

             可以增加额外3条气路、可以选择气体（B、N、P）或液体（P）掺杂。

样品台： 水冷，可以容纳2英寸衬底；

            生长金刚石过程中，样品台可以上下实时精密调节。

            设备设计非常适合用于厚单晶生长，例如一次性生长2mm。

测温系统：采用双色高温计，测温范围为：475°C–1475°C；

              观察口大小：1cm，辅以激光束观察测温位置。

真空系统：干泵抽气速率为35 m3/h，分子泵抽气速率为300 l/s；

              系统极限真空度＜3×10-7mbar。

可以选配： 光谱仪，样品台旋转功能，微波发生源脉冲模式，3-4英寸样品台

控制系统：配套有全自动控制系统、工业电脑、必要的数据接口及操作软件；

              支持多级用户权限设置和多用户管理，系统支持设备的远程操作和维护；

              系统含故障报警及定位功能，能及时提示相应故障部件。

              支持半自动和手动操作模式。

设备应用：具备多种用途，以满足用户科研需要；

             适合生长杂质浓度低于1ppb的超高纯度单晶，且有大量专业科技文献佐证；

             适合一次性生长厚单晶以及多种子生长；

             适合金刚石掺杂（硼、磷等）研究及光学级多晶窗口生长。

工艺培训：原厂工程师现场演示金刚石生长，包括种子选择、种子预处理、

              种子的固定及生长工艺等培训，并现场演示单晶生长；

              原厂需具有高水平和丰富的金刚石生长工艺经验。

若有兴趣，可随时联系咨询我们！