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四硼酸锂的晶体生长过程
四硼酸锂LI2B4O7(www.tnsysb.com.cn)单晶体是用垂直提拉工艺生长的.将纯度为4N的Li2CO3和B2O3按专家报道的实际配比,即68.9mol%的B2O3和31.1mol%的Li2CO3原料盛于75*75的铂金坩埚中,采用中频感应加热,晶体的转速为16r/min,提拉速度为0.7mm/h.采用铂-铂铑电偶取信号,DWT-702或WZT-761控温仪控制温度程序,并用GLD光电精密调速仪分别控制转速与提拉速度.
据研究,四硼酸锂晶体生长时碰到的一般问题是炸裂,混入气泡,形成晶核,形成缺陷区而使晶体失透.我们采用已经成熟的钽酸锂生长装置和温场生长该晶体时,发现晶体的炸裂和气泡的混入是可以得到解决的.在晶体中以晶轴为同心轴而形成的"云层"可以通过转速和生长速率的调节以及精密控制温度波动等办法得以消除;而在四硼酸锂晶体中形成晶核才是最主要的问题,这与该晶体的生长工艺,原料的纯度,杂技的混入,熔体的组成偏离以及温场的选取有关.
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