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LOR? 负光刻胶
产品名称：光刻胶
型号：LOR
关键词：MicroChem系列光刻胶
PMGI & LOR负光刻胶使能高产，广泛应用于在处理多种数据存储和无线芯片到MEMS的金属剥离。PMGI & LOR负光刻胶作为双叠层光刻胶，PMGI & LOR在超出单层防腐可以延长限制剥离处理。这包括非常高的分辨率的金属化（＜0.25μM），以及非常厚（＞4μm）金属化。这些独特的材料可几乎满足任何客户需要。
材料用途：金属电梯加工，桥制造，释放层
材料属性：
l 覆盖在成像抗蚀剂不会混杂
l 在TMAH双叠层一步发展，或KOH开发
l 高热稳定性：Tg ~190 C
l 快速清除和常规抗剥离干净
l 0.25μm微米双层抗蚀成像
l 产量高，可用于很厚（＞3μm）金属剥离处理
Bi-Layer Lift-Off Process | Lift-Off: An enabling, additive lithographic process. |
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Step 1. LOR or PMGI is coated | 1. Bi-layer resist pattern |
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Step 2. The imaging resist is coated onto the LOR or PMGI layer. | 2. Metal Deposition |
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Step 3. The imaging resist is exposed. | 3. Clean solvent lift-off |
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Step 4. The wafer is developed. | |
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Step 5. Metal Deposition | |
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Step 6. Lift-Off! |
企业名称
上海尖丰光电技术有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
310112001353744
成立日期
2014-04-04
注册资本
100
经营范围
从事光电技术、计算机技术领域内的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务,机电设备、激光设备、电子设备、化工设备、实验室设备、通信产品、电子产品、光纤通信产品、光电器件、电子元器件、金属材料(除专控)的销售,从事货物及技术的进出口业务。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】
上海尖丰光电技术有限公司
公司地址
上海市闵行区元江路3599号福克斯创新园10幢3楼323室
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