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InGaAs 光电二极管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 μm to 2.6 μm）等特点。
铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ3mm,铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ3mm产品特性
截止波长： 2.6μm
低成本
感光面积： φ3 mm
低噪声
高灵敏度
高可靠性
高速响应
产品应用
光功率计
气体分析
湿度计
近红外光度法
详细参数
| 感光面积 | φ3mm |
| 像元个数 | 1 |
| 封装 | Metal |
| 封装类型 | TO-5 |
| 制冷方式 | Non-cooled |
| 光谱响应范围 | 0.9 to 2.6 μm |
| 峰值灵敏度波长(典型值) | 2.3 μm |
| 灵敏度 (典型值) | 1.3 A/W |
| 暗电流 (最大值) | 100000 nA |
| 截至频率（典型值） | 0.8MHz |
| 结电容(典型值) | 4000 pF |
| 噪声等效功率 (典型值) | 3×10-12 W/Hz1/2 |
| 测量条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=λp, Dark current: VR=0.5 V, Cutoff frequency: VR=0 V, RL=50 Ω,Terminal capacitance: VR=0 V, f=1 MHz. |
光谱响应
外形尺寸（单位：mm）
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