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400-860-5168转3429
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硅 Si 大光敏面四象限探测器 1064nm (光敏面直径10/16mm)
核心参数
组件类别： 光学元件
400-860-5168转3429
器件是N型硅象限探测器，当光辐射到器件各个象限的辐射通量相等时，则各个象限输出的光电流相等。而当目标发生偏移时，由于象限间辐射通量的变化，引起各个象限的输出光电流的变化，由此可测出物体的方位，从而起到跟踪、制导的作用。
硅 Si 大光敏面四象限探测器 1064nm,硅 Si 大光敏面四象限探测器 1064nm● 标低暗电流
● 高均匀性、高对称性
● 高可靠性
● 盲区小
● 激光瞄准、制导跟踪及探索装置
● 激光微定位、位移监控等精密测量系统
特性参数 | 符号 | 测试条件 （除另有规定外，TA=22℃±3℃） | 参数值 | 单 位 | ||
最小值 | 最大值 | |||||
响应度(交流)(象限) | Spi | λ=1.064μm VR=135 V | 脉宽20 ns、Pin=2 mW | 0.25 | — | A/W |
响应度(直流)(象限) | Rei | 直流、Pin=1μw | 0.30 | — | ||
响应度变化量(直流) (象限)a 响应度变化量(交流) (象限)a | ΔRei | TA=-45 ℃±2 ℃ | — | 50 | % | |
暗电流(象限) | IDi | VR=135V Pin=0μw | TA=22℃±3℃ | — | 1 | μA |
TA=70℃±3℃ | — | 10 | ||||
暗电流(环) | ID | TA=22℃±3℃ | — | 10 | ||
TA=70℃±3℃ | — | 100 | ||||
结电容（象限） | Cji | VR=135V，f=1MHz | — | 15 | pF | |
光敏面直径 | φ | 10 | 16 | mm | ||
等效噪声功率 | NEPi | λ=1.064 μm，VR=135 V ,脉宽20 ns | — | 5×10-12 | W/HZ1/2 | |
击穿电压（象限、环） | VBR | IR=10μA | 200 | — | V | |
象元间灵敏度非均匀性 | Rf | λ=1.064 μm，VR=135 V ，脉宽20 ns；Pin=2mW | — | 5 | % | |
象元内灵敏度非均匀性 | Rfn | λ=1.064 μm，VR=135 V ，脉宽20 ns；Pin=2mW | — | 5 | % | |
象元间窜扰因子 | SLi | λ=1.064 μm，VR=135 V ，脉宽20 ns；Pin=2mW | — | 5 | % | |
外形结构
TO型气密性封装。外形结构见图1，外形尺寸见表1。
表1、外形尺寸（单位为毫米）
尺寸符号 | φD1 | ΦD2 | ΦD3 | ΦD4 | ΦD5 | Φd | A | L1 | L2 | L3 | e |
最小值 | 30.55 | 27.80 | 3.00 | 27.915 | 22.60 | 0.98 | 7.03 | 3.02 | 1.85 | 2.70 | 18.00 |
最大值 | 30.65 | 28.00 | 3.06 | 27.94 | 23.40 | 1.02 | 7.20 | 3.10 | 1.95 | 3.00 | 18.05 |
引出端排列
器件的引出端排列见图2，引出端功能应符合表2的规定。
表2、引出端功能表
管脚 | 功能 | 电压极性 |
1 | 象限1 | 正 |
2 | 公共P极 | 负 |
3 | 象限4 | 正 |
4 | 环极 | 正 |
5 | 象限3 | 正 |
6 | 壳体 | 地 |
7 | 象限2 | 正 |
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