半导体可靠性测试方法高低温试验箱:
试件:
多个样品在同一试验箱进行高温实验时,应保证所有样品都处在同一环境温度下,并具有相同的安装条件。
对于散热样品而言,各个试件之间不能因辐射散热而影响到其它试件,即试件间隔应足够大,这样对于单个试件来说,其他散热试件辐射到其上的热量所造成的温度变化就很小,到可忽略的程度。
对于非散热试件,温度保持不变的高温或低温试验,试件间的间距可以不做要求,因为温度恒定后试件的温度与温度试验箱内的温度保持一致,不发生热量交换,试件间的间距对试验不会产生影响。
非散热试件的温度变化试验试件间则应该保持间隔,使试验件之间有足够的空气流动,加速试件与温度试验箱之间的热交换,使试件尽快达到试验指定的温度。
试验方法:
1.温度下限工作试验:受试样品先加电运行测试程序进行初试检测。在受试样品不工作的条件下,将箱内温度逐渐降到0℃,待温度稳定后,加电运行测试程序5h,受试样品功能与操作应正常,试验完后,待箱温度回到室温,取出样品,在正常大气压下恢复2h。
推荐检验标准:受试样品功能与操作应正常,外观无明显偏差。
2.低温储存试验将样品放入低温箱,使箱温度降到-20℃,在受试样品不工作的条件下存放16h,取出样品回到室温,再恢复2h,加电运行测试程序进行后检验,受试样品功能与操作应正常,外观无明显偏差。为防止试验中受试样品结霜和凝露,允许将受试样品用聚乙稀薄膜密封后进行试验,必要时还可以在密封套内装吸潮剂。
3.温度上限工作试验受试样品先进行初试检测。在受试样品不工作的条件下,将箱温度逐渐升到40℃,待温度稳定后,加电运行系统诊断程序5h,受试样品功能与操作应正常,试验完后,待箱温度回到室温,取出样品,在正常大气压下恢复2h。
4.高温储存试验将样品放入高温箱,使箱温度升到55℃,在受试样品不工作的条件下存放16h,取出样品回到室温,恢复2h。
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