霍尔效应测试仪器

2.

功能描述：

测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数

3.

技术参数：

3-1

测试范围：

Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数

3-2

磁场：

3-2-1

磁场强度：

0.45T 永磁体

3-2-2

磁场类型：

永磁体

3-2-3

磁场均匀性：

磁场不均匀性＜±1 %

10年内磁场变化＜±0.2%

3-3

温    度：

3-3-1

温度区域：

77K(液氮温度)或室温

3-4

电阻率范围：

1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm

3-5

电阻范围：

0.1 m Ohms ~10 G Ohms

3-6

载流子浓度：

10⁷~10²¹cm^-3

3-7

迁移率：

10^-2~10⁷ cm²/volt*sec

3-8

输入电流：

3-8-1

电流范围：

1000 pA~10mA

3-8-2

电流解析度：

2.5 pA (lowest range)

3-8-3

电流精度：

2%

3-9

输入电压：

3-9-1

电压范围：

±10V

3-9-2

电压分辨率：

1μV

4.

仪器特点：

4-1

Automatic contact check

自动接触检查(欧姆接触)

4-2

Routine and enhanced software

常规和增强软件

4-3

Differential resistivity measurements by I/V-curves

I/V曲线测试电阻率差异

4-4

Misalignment voltage compensation

失调电压补偿

4-5

Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,

修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌

4-6

Automatic field calibration

自动现场标定

4-7

Large concentration and resistivity range

大浓度和电阻率范围

4-8

Flexible, modular hardware

灵活的模块化硬件

4-9

Support of various magnets, for example BioRad HL 5200

支持多样磁场

4-10

Support of various temperature controllers

支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)

5

硬件

5-1

The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.

标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）

5-2

The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.

电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口

5-3

The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.

接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)

5-4

The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}

电流源具有可调电压和/或电源的限制

5-5

Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.

电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。

6

软件