美国MMR变温塞贝克效应测试仪

特点和优势

我们的优势在于我们使用了Joule-Thomason热台作为温度控制装置，除此之外，MMR的塞贝克效应测试仪更多的优势体现在很多的科学应用上，包括：
? 塞贝克测试系统具有50 nVolt的分辨率
? 可测试的样品从金属到薄膜
? 高的测试精度和重复性
? 相对参考材料的自动运算
? 结构紧凑
? 宽的温度测试范围：70K 至 730K
? 可测试的样品范围广：包括单晶体、薄膜、线等
自动的热能测量提供如下好处：
? 连续的计算机控制的试验参数可产生接近恒定大小和周期的温度梯度。
? 密度的数量级增加的数据极容易获取
? 一致的数据简化了程序，对于每次测量非常有用
总之，这些因素使得MMR的塞贝克效应测试系统具有非常高的精度和测试重复性。

塞贝克效应测试仪技术规格

工作温度范围： 70K and 730K*
腔体尺寸： 宽度：2.5 in (6.35 cm)
长度：6.0 in (16.54 cm)
深度：1.45 in (3.7 cm) – 电子连接端
深度：1.45 in (3.7 cm) – 样品固定端
工作距离： 0.47 in (12 mm)
最大热测量范围： +/- 50 nVolt
参考和测试通道的增益失配： < 0.1%
加热模块最小功率步进： 0.1 mWatt (决定了通过样品的温度差异)
加热模块最大功率步进： 900 mWatts
自动读数： 最大至128
参考材料： 铜镍合金-与待测样品相对
温度传感器： 铂电阻温度计
样品固定尺寸： 10 mm x 12 mm
样品长度： 2 mm to 10 mm(取决于固定方法)
控制器要求： MMR提供的可编程温度和塞贝克测量控制器
过滤干燥系统要求： 标准的过滤干燥系统或者可再生过滤干燥系统
气体要求： 99.998% 的高纯氮气或者氩气，至少1800 psi压力
真空要求： 不高于8 mTorr

塞贝克效应

塞贝克效应是一种物理现象，即两种不同的导体材
料或者半导体材料（如右图所示）之间的温度差异
在接触时会产生电势差。
当热量施加在两种导体或者半导体中的一个时，热
电子流会从热端流向冷端。当这对材料通过电子回
路连接时，直流电流（DC）就会从回路中流过。
塞贝克效应产生的电压很小，通常在连接点每开氏
温度只有几个微伏或几个毫伏。如果温度差足够大，
一些塞贝克效应器件可以产生数毫伏甚至数千伏的
电压。
很多类似的器件可以串联起来增加输出电压或者并
联起来增加最大输出电流。 塞如果在节点处维持大
的温度差，贝克效应器件组成的大型阵列可以提供
非常有用的、小规模的电源。

典型的塞贝克效应测试系统
典型的变温塞贝克测量系统包括：
? 高纯度高压气体（通常问氮气或者氩气）
? 一套过滤干燥装置和高压气体管路
? 热台
? MMR提供的可编程温度控制器和塞贝克测量控制器
? 带前级放大板且适合样品特性的真空腔体
? 内置参考样品的样品固定台
? 真空泵
? 计算机

热台变温范围
当系统维持在至少8mTorr的压力范围时，MMR可得到如下温度范围：
? 室温
? 70K 至 580K*
? 80K 至 580K
? 70K 至 730K*
? 80K 至 730K
? 室温至730K
* 真空辅助的Joule-Thomson热台需要在热台的出气端增加额外的真空泵。热台不适用于超高真空和扫描电镜系统。
塞贝克和温度控制器
MMR独特的温度控制器
MMR提供独特的可编程温度控制器专门用于我们拥有专利的低温冷却和热台系统。这个控制器可在
70K至730K温度范围内精确测量温度，确保温度控制的精度和温度的稳定控制，并且易于数据采集。温
度控制循环、升降温度等操作都在软件中实现，这都为固体材料表征和研究提供了非常有用的手段。

塞贝克控制器

MMR的可编程温度控制器和塞贝克测量控制器提供转钥匙的解决方案。这两个控制器可在塞贝克测试软
件中一起工作，提供全部的温度控制，无论是全部样品区域还是小的温度梯度。测量和控制精度可达50nV.
塞贝克真空腔和样品台
塞贝克样品固定在带有前级放大电路板、样品固
定台和热台的真空腔内。
? 可提供几种不同的前级放大电路板分别满
足阻抗从低到高的样品，从而提供宽范围的增益，
优化信噪比。.
? Joule-Thomson热台温度范围可满足全部设
备的真空下的温度70-730K。
? 真空腔体已做过优化处理，排除了大气环境
下的不良影响。
? 样品固定台包含了两个热电偶，一个用于铜
和标准参考材料之间接触点的测量，另外一个热
电偶用于铜和待测材料之间接触点的测量。该系
统使用高级的双参考测量技术从而保证高精度和
高重复性。