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Silicon carbide ( SiC nano particles)粒度分析报告
2015-01-29 15:56
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晶圆绑定线的失效是非常常见的一种失效，针对此种失效可以先对失效点进行定位，然后选择离子束切割加电镜观察的方式进行切片分析。
在集成电路生产过程中，晶圆尺寸越来越大，芯片却越来越小，工艺越来越复杂，在生产过程会给晶圆引入各种表面缺陷。为了减少不必要的损耗，芯片在切片前必须进行检查，剔除有缺陷的芯片。本系统专用于切片前有图案晶圆的缺陷检查，为改进制造工艺提高良品率提供数据支持。
近年来，新能源汽车行业飞速发展，新车型发布和更新越来越密集，需要汽车制造企业加快产品从研发到生产制造上市的各个环节。使用传统的接触式测量手段，如三坐标和关节臂等，测量效率低下，已难以满足企业的要求。因此，企业需要引入新的测量工具，以便适应快速变化的市场需求，数字化的三维扫描无疑是优先选择。
徕卡超薄切片在高分子材料中的应用
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