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核心参数
加热方式： 其它
应用领域： 半导体
产地类别： 国产
沉积速率： 暂无
沉积薄膜种类： 通用
控制气体： 1-4路
背底真空： 暂无
工作气压： 常压
内部尺寸： 暂无
装置概述
本装置是CVD反应装置，拥有四个气路，两套独立的气路控制单元，加热炉安装在装置的侧面上下安装，精密的仪表控制加热炉炉温和气体流量，具有可靠性高，操作简便，结构紧凑的特点。该装置可用于化学沉积及与CVD特点相似的材料制备过程。
技术参数
- 气路：1-4（任选）；
- 加热炉：1-2（任选），加热炉温度Max：1000 ℃
- 气体质量流量器：0 - 500 mL/min（任选）；
- 工作压力：常压；
- 温度控制：± 0.5 ℃；
- 计算机控制（任选）。
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企业名称
金铠仪器（大连）有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
9121023107156927XR
成立日期
2010-07-22
注册资本
1000
经营范围
通用仪器仪表组装，技术开发，技术咨询，技术进出口，金属压力容器制造，管道工程建筑服务，管道和设备安装，医疗器械制作，一般自由贸易
金铠仪器（大连）股份有限公司
公司地址
大连经济技术开发区双D4街大连生物医药创新孵化基地8号楼2单元
客服电话
公司名称： 金铠仪器（大连）股份有限公司
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