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非极性GaN晶体基片

品牌: 合肥科晶
产地: 安徽
型号: GaN
报价: 面议
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核心参数

产地类别: 国产

产品介绍
简介
该非极性氮化镓(GaN)晶体基片提供Aplane和Mplane两种定位面,传导类型包括N型和半绝缘型,具有高电阻率、低表面粗糙度和低位错密度等特点。常规尺寸为10x5x0.5mm,可根据客户需求定制尺寸和方向。产品在1000级超净室中进行100级超净袋包装,适用于多种高端应用领域。

产品名称:

非极性氮化镓(GaN)晶体基片

产品简介:


技术参数:

晶体定位面:A plane <11-20>+/-1;M plane <1-100>+/-1°.传导类型:N型;半绝缘型电阻率:R<0.5 Ω.cm;R>106Ω.cm表面粗糙度:<0.5nm位错密度:<5x106Ω.cm可用表面积:>90%TTV:≤15um;

 

产品规格:

常规尺寸:10x5x0.5mm

厚度公差:+/-0.05mm;

注:可按照客户要求加工尺寸及方向。

标准包装:

1000级超净室100级超净袋

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工商信息

企业名称

合肥科晶材料技术有限公司

企业信息已认证

企业类型

有限责任公司(中外合资)

信用代码

913401001490220724

成立日期

1997-06-19

注册资本

伍佰零肆万玖仟壹佰美元整

经营范围

材料制造、销售;科学仪器设备的生产、研发、销售及技术咨询;实验、测试及实验器械的租赁服务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)

联系方式
合肥科晶材料技术有限公司为您提供合肥科晶 非极性GaN晶体基片,合肥科晶GaN产地为安徽,属于国产石英晶体微天平,除了 非极性GaN晶体基片的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多石英晶体微天平,合肥科晶客服电话400-860-5168转2205,售前、售后均可联系。

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