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| 产品名称： | 锑化镓(GaSb)晶体基片 |
| 产品简介： | |
| 技术参数： | 单晶GaSb掺杂none；None, high R；Zn；Te；Te, high R导电类型P P- P+ N载流子浓度cm-31-2x1017 1-5x1016 1-5x10182-6x1017 1-5x1016位错密度cm-2<103生长方法及最大尺寸LEC ? 3" |
| 产品规格： | 标准尺寸：<100>, dia2"x0.5mm, 单抛， ?3"x 0.5mm. 表面粗糙度Ra：<15A 可按客户需求定制相应的方向和尺寸。 |
| 标准包装： | 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
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