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核心参数
产地类别： 国产
400-860-5168转2205
产品名称： | 超薄Si片 |
产品简介： | 化学符号为Si,主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。 |
产品参数： | 掺杂物质 掺B 掺P 类型 P N 电阻率Ω.cm 10-3 ~ 40 10-3 ~ 40 EPD(cm-2 ) ≤100 ≤100 氧含量( /cm3 ) ≤1.8 x1018 ≤1.8 x1018 碳含量( /cm3 ) ≤5x1016 ≤5x101
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常规尺寸： | 晶体方向： <111> ； <100> ； <110> ± 0.5° 或 特殊的方向 常规尺寸：dia2"x0.1mm、 dia2"x0.2 mm； 尺寸公差：dia2"直径公差±0.4mm；厚度公差±25um； 表面粗糙度：Ra<10A 同时可提供热氧化SiO2层的Si片；Si+SiO2+Ti+Pt的基!欢迎您的咨询！ |
备注： | 1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装 |
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