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产品名称： | VGF生长法 GaAs（进口料GaAs single crystal wafer, PRIME Grade） |
常规尺寸： | dia 2" x 0.5mm;单抛
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技术参数： | 生长方法：VGF法GaAs晶向：<100> 2 degree OFF Toward <101>±0.5 deg产品尺寸：dia2" x 0.5mm掺杂类型：N型掺Te载流子浓度：(0.15-2.6) E18 /cm^3迁移率:2700~3600 cm^2/V.S电阻率：9E-4~1.1E-2 ohm-cmEPD：<8000/cm^2
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标准包装： | 1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒 |
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企业名称
合肥科晶材料技术有限公司
企业信息已认证
企业类型
有限责任公司(中外合资)
信用代码
913401001490220724
成立日期
1997-06-19
注册资本
伍佰零肆万玖仟壹佰美元整
经营范围
材料制造、销售;科学仪器设备的生产、研发、销售及技术咨询;实验、测试及实验器械的租赁服务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
合肥科晶材料技术有限公司
公司地址
安徽省合肥市科学院路10号
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公司名称： 合肥科晶材料技术有限公司
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