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产品名称： | 氮化镓(GaN)薄膜 |
| 产品简介： | 氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。在HVPE过程中，盐酸反应生成GaCl，而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化镓单晶基板。
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技术参数：
| 常规尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型 注：可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。 产品定位C轴<0001>±1° 传导类型N型；半绝缘型；P型 电阻率R<0.05 Ohm-cm；半绝缘型R>106 Ohm-cm 位错密度<1x108 Cm-2 表面处理(镓面)AS Grown 有效值<1nm 可用表面积>90% |
标准包装： | 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
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企业名称
合肥科晶材料技术有限公司
企业信息已认证
企业类型
有限责任公司(中外合资)
信用代码
913401001490220724
成立日期
1997-06-19
注册资本
伍佰零肆万玖仟壹佰美元整
经营范围
材料制造、销售;科学仪器设备的生产、研发、销售及技术咨询;实验、测试及实验器械的租赁服务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
合肥科晶材料技术有限公司
公司地址
安徽省合肥市科学院路10号
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