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产品名称： | Si+Si3N4薄膜(进口料Silicon Nitride Film (PE-CVD) on Front Polished Side of Silicom Wafer P type doped B） |
常规尺寸： | dia 4" +/- 0.5 mm x 0.525 +/- 0.025 mm |
标准包装：
技术参数：
| 1000级超净室100级超净袋真空包装、单片盒或插盒 |
Si参数：
| 晶向：<100>±0.5°； |
掺杂类型：P型掺B； | |
电阻率:<0.02 ohm-cm； | |
抛光：单抛； | |
Si3N4参数：
| 生长方法：low stress PE-CVD method |
薄膜厚度：100nm +/- 8% | |
镀膜情况：Si3N4 covers front polished side of Silicon wafer ONLY |
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企业名称
合肥科晶材料技术有限公司
企业信息已认证
企业类型
有限责任公司(中外合资)
信用代码
913401001490220724
成立日期
1997-06-19
注册资本
伍佰零肆万玖仟壹佰美元整
经营范围
材料制造、销售;科学仪器设备的生产、研发、销售及技术咨询;实验、测试及实验器械的租赁服务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
合肥科晶材料技术有限公司
公司地址
安徽省合肥市科学院路10号
客服电话
公司名称： 合肥科晶材料技术有限公司
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