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产品名称： | InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜（dia3”InP/InGaAs/InP EPI on InP <100>)
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产品参数： | 薄膜生长方法：MOCVD deposition 基底参数：N型掺S, InP:S [100]±0.5°, Nc=~5E18/cc 薄膜InP：1um 厚；N型掺Si；Nc=~5E15/cc 薄膜In0.53Ga0.47As：3.0±0.5μm 厚； N型不掺杂, Nc=1E15-1E16/cc 薄膜InP(top)：1um thick InP film, N型掺Si, Nc=1E15-1E16/cc
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常规尺寸： | dia3” x650±25um
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标准包装： | 1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装 |
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企业名称
合肥科晶材料技术有限公司
企业信息已认证
企业类型
有限责任公司(中外合资)
信用代码
913401001490220724
成立日期
1997-06-19
注册资本
伍佰零肆万玖仟壹佰美元整
经营范围
材料制造、销售;科学仪器设备的生产、研发、销售及技术咨询;实验、测试及实验器械的租赁服务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
合肥科晶材料技术有限公司
公司地址
安徽省合肥市科学院路10号
客服电话
公司名称： 合肥科晶材料技术有限公司
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