等离子增强原子层沉积系统沉积高均匀性和高保型性介电薄膜
★超薄,纳米尺度介电薄膜与金属/金属性薄膜是MEMS/NEMS器件、其它IC部件,传感器,光学器件或催化剂关键部件
★IC业中的高精度30器件, 如高深宽比沟槽与穿透性硅通孔, ALO工艺是唯可以在这些器件上实现高保形,平整,无缺陷,无针孔的薄膜材料。
★可规模化生产的ALO工艺, 几种金属/金属性材料与介电材料: Pt, Ir, Ru, Cu, Ag, Au, TiN, AIN, TiAIN, ln203与Al203.
★沉积工艺可选:传统热ALO或者等离子增强ALD。